7月22日,韓國(guó)化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布,公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵(Ga2O3)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。
source:Siegtronics
據(jù)悉,氧化鎵是一種寬帶隙(WBG)材料,與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)相比,具有更寬帶隙和更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)。它克服了現(xiàn)有產(chǎn)品的缺點(diǎn)——低擊穿電壓(VB)和高漏電流(IL),實(shí)現(xiàn)了差異化的高壓、大電流、耐高溫、高效率應(yīng)用,在電動(dòng)汽車的電源轉(zhuǎn)換器、電驅(qū)和逆變器等領(lǐng)域應(yīng)用備受關(guān)注。
氧化鎵普遍被業(yè)界認(rèn)為是“第四代半導(dǎo)體”材料,目前以美國(guó)、中國(guó)、日本為代表的相關(guān)企業(yè)和機(jī)構(gòu)正對(duì)其開展研發(fā)工作。
但與其他寬帶隙材料相比,相關(guān)研發(fā)(R&D)程度較低,尚未達(dá)到全面商業(yè)化階段。因此,全球許多半導(dǎo)體相關(guān)機(jī)構(gòu)和公司都在努力搶占氧化鎵市場(chǎng)。
Siegtronics表示,公司通過“開發(fā)具有低缺陷特性的高級(jí)氧化鎵外延材料和擊穿電壓為1kV或更高的功率器件技術(shù)”項(xiàng)目,成功研制出了韓國(guó)首個(gè)1200V級(jí)氧化鎵SBD。
需要注意的是,氧化鎵通過最大限度地降低半導(dǎo)體器件的漏電流和導(dǎo)通電阻,不僅有望應(yīng)用于普通家電和IT設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器,還有望應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電模塊、國(guó)防、航空航天領(lǐng)域,為實(shí)現(xiàn)器件功耗的小型化、微型化和輕量化做出貢獻(xiàn)。(集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯)
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