8月7日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機構藍馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。
source：鎵仁半導體
鎵仁半導體表示，本輪融資資金的注入，不僅是對公司技術實力和市場前景的高度認可，更為公司的未來發(fā)展提供了堅實的資金保障。
同時，隨著與杭州銀行戰(zhàn)略合作協(xié)議的簽訂，公司將進一步深化與金融機構的合作，共同探索科技與金融深度融合的新模式、新路徑，為公司的持續(xù)快速發(fā)展注入新的活力。
據悉，鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導體開創(chuàng)了非導模法氧化鎵單晶生長新技術，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產權的氧化鎵單晶襯底材料。
技術進展方面，此前，鎵仁半導體聯合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用楊德仁院士團隊自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。
2024年4月，鎵仁半導體推出了新產品2英寸晶圓級（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產，打破了國際壟斷。
2024年7月，鎵仁半導體成功制備出了3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。（來源：鎵仁半導體、集邦化合物半導體）
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