近日，時(shí)代電氣、國(guó)博電子和燕東微披露了2024年上半年業(yè)績(jī)。其中，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)。
時(shí)代電氣：營(yíng)收破百億，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)30%
2024年上半年，時(shí)代電氣實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長(zhǎng)19.99%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)人民幣15.07億元，同比增長(zhǎng)30.56%，增長(zhǎng)主要系營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)帶來(lái)毛利潤(rùn)增長(zhǎng)。
報(bào)告期內(nèi)，功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時(shí)代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營(yíng)，宜興3期項(xiàng)目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升；
電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項(xiàng)目持續(xù)交付；IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量交付，碳化硅（SiC）產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開(kāi)發(fā)，SiC產(chǎn)線改造完成，新能源車(chē)用SiC產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。
報(bào)告期內(nèi)，在SiC芯片技術(shù)方面，公司突破高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)；
攻克有源區(qū)柵氧電場(chǎng)屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場(chǎng)調(diào)制場(chǎng)環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)；
掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)SiC工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)，全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。
國(guó)博電子：發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品
2024上半年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.02元，較上年同期減少32.21%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)2.44億元，較上年同期減少20.77%。
國(guó)博電子表示，報(bào)告期內(nèi)公司營(yíng)業(yè)收入同比下降32.21%：主要系報(bào)告期內(nèi)T/R組件和射頻模塊業(yè)務(wù)收入減少所致。
據(jù)悉，國(guó)博電子主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。
T/R組件領(lǐng)域，公司積極推進(jìn)射頻組件設(shè)計(jì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，重點(diǎn)圍繞W波段有源相控微系統(tǒng)、低剖面寬帶毫米波數(shù)字陣列等新領(lǐng)域，持續(xù)開(kāi)展相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，積極推進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)產(chǎn)品化技術(shù)，為新一代產(chǎn)品開(kāi)拓打下基礎(chǔ)。
公司積極開(kāi)展T/R組件應(yīng)用領(lǐng)域拓展，在低軌衛(wèi)星和商業(yè)航天領(lǐng)域均開(kāi)展了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，多款產(chǎn)品已開(kāi)始交付客戶。
射頻模塊領(lǐng)域，上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品。新技術(shù)持續(xù)攻關(guān)，改善產(chǎn)品的線性度、效率等性能。預(yù)計(jì)下半年新一代的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及應(yīng)用，器件綜合競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步提升。射頻芯片領(lǐng)域，2024年，5G基站市場(chǎng)整體保持平穩(wěn)，5G-A通感基站試點(diǎn)帶動(dòng)基站射頻芯片銷(xiāo)售增長(zhǎng)。
新產(chǎn)品方面，公司為下一代基站平臺(tái)新研數(shù)款物料穩(wěn)步推進(jìn)中。終端射頻芯片產(chǎn)品持續(xù)穩(wěn)定交付，系列化新產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，積極推進(jìn)基于新型半導(dǎo)體工藝的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作，拓展公司終端射頻芯片品類(lèi)。新領(lǐng)域和新客戶方面積極推進(jìn)ODU及衛(wèi)星通信芯片開(kāi)發(fā)推廣，部分產(chǎn)品已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。
燕東微：預(yù)計(jì)年內(nèi)累計(jì)交付硅光芯片5000片
公司2024上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入6.16億元，較上年同期下降43.10%，歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)-0.15億元，由盈轉(zhuǎn)虧，主要原因是市場(chǎng)需求發(fā)生變化，部分產(chǎn)品價(jià)格下降及需求下滑所致。
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報(bào)告期內(nèi)，公司產(chǎn)品與方案板塊銷(xiāo)售收入3.05億元，同比減少55.06%，主要受客觀因素影響，客戶需求放緩，導(dǎo)致產(chǎn)品與方案板塊收入同比下降。
2024年上半年新增客戶百余家，累計(jì)完成了22款單片集成電路，15款混合集成電路研制，開(kāi)發(fā)了5V和40V SOI CMOS特種工藝平臺(tái)，并加大在模擬開(kāi)關(guān)、有源濾波器模塊、高精度線性光耦、微型光電隔離通信模塊、電感數(shù)字隔離器、光電隔離電壓檢測(cè)模塊、ASIC等特種新產(chǎn)品方面的研制力度。
制造與服務(wù)業(yè)務(wù)板塊銷(xiāo)售收入2.80億元，同比減少23.45%。從2022年下半年度開(kāi)始，外部市場(chǎng)環(huán)境持續(xù)低迷，尤其是消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)加大，進(jìn)入2024年上半年以來(lái)，消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)逐步回暖，訂單需求實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)，但平均產(chǎn)品售價(jià)較高點(diǎn)仍有較大幅度降幅，導(dǎo)致消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品收入較同期仍有一定下滑。
燕東微硅光平臺(tái)分別在8英寸產(chǎn)線和12英寸產(chǎn)線均取得較大進(jìn)展，其中8英寸SiN工藝平臺(tái)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，8英寸SOI工藝平臺(tái)完成部分關(guān)鍵器件開(kāi)發(fā)；12英寸SOI工藝平臺(tái)完成部分關(guān)鍵工藝開(kāi)發(fā)。
2024年上半年，公司在硅光芯片制造領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了波導(dǎo)損耗改善、工藝集成優(yōu)化等技術(shù)突破，特別是在SiN工藝平臺(tái)上，成功實(shí)現(xiàn)了硅光芯片的大規(guī)模量產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá)1000片。公司將積極拓展應(yīng)用領(lǐng)域，擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模，月度需求超過(guò)1000片，預(yù)計(jì)年度內(nèi)累計(jì)交付客戶超5000片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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