9月27日，住友金屬礦山株式會社（以下簡稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規(guī)模生產線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。
source：住友金屬
住友金屬已經開始銷售6英寸SiCkrest產品，并且其直接鍵合技術已經獲得許可。而在8英寸方面，盡管公司在2022年7月做出了投資開發(fā)線的決策，但直到2024年9月才開始向客戶發(fā)送樣品進行認證。
住友金屬預計，隨著8英寸襯底生產線的建成，到2025財年下半年，鍵合SiC襯底的月產能將超過10,000片（6英寸等效）。同時，Sicoxs還計劃開始向其被許可方供應多晶SiC支撐基板。
據悉，SiCkrest使用一種獨特的鍵合技術來創(chuàng)建兩層晶片，從而實現高性能和有競爭力的價格。通過在低電阻多晶SiC支撐基板上鍵合一層高質量的單晶SiC薄層，這些產品能夠在保持單晶SiC特性的同時，實現整個基板的低電阻和減少電流衰減。
source：住友金屬
SiC作為一種優(yōu)異的半導體材料，特別適用于控制電力。與傳統(tǒng)硅（Si）相比，SiC能夠承受更高的電壓，并且顯著減少能量損失。這些特性使得SiC在電動汽車和混合動力汽車的驅動控制器中備受青睞，尤其是在需要大電流和高耐壓的高容量領域，預計市場需求將不斷增長。
根據TrendForce集邦咨詢推出的《2024全球SiC Power Device市場分析報告》，作為未來電力電子技術的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預估2028年全球SiCPower Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。此外，生產單晶SiC需要大量電能。Sicoxs的技術通過重復使用單晶SiC來增加市場供應，同時減少整體能源消耗。住友金屬礦山集團將繼續(xù)擴大其SiCkrest相關業(yè)務，并致力于實現可持續(xù)的業(yè)務增長和增加企業(yè)價值。
值得注意的是，近期，日本多家碳化硅廠商也紛紛采取行動：
● 8月1日，東海碳素（Tokai Carbon）宣布計劃投資54億日元（約合人民幣2.66億元）在日本神奈川縣茅崎市建設一條多晶SiC晶圓專線，預計2024年12月完工。
● 9月17日，日本礙子宣布成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并在美國ICSCRM 2024上展示了相關研究成果。公司利用其陶瓷加工技術在多個襯底上生長具有低BPD密度的4H-SiC晶體。通過該工藝，公司完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同時生長了9個晶體的實驗。
● 9月24日，Resonac（原昭和電工）宣布與Soitec簽署合作協(xié)議，共同開發(fā)用于功率半導體的8英寸SiC鍵合襯底。
這些動態(tài)表明，日本在碳化硅領域的研發(fā)和生產能力正在不斷增強。（集邦化合物半導體Morty整理）
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