MACOM牽頭碳化硅基氮化鎵項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:11 | 分類(lèi) 功率

11月4日,美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)MACOM宣布,將引領(lǐng)一個(gè)碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,主要針對(duì)于射頻(RF)和微波應(yīng)用領(lǐng)域。

項(xiàng)目專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路(MMIC)的半導(dǎo)體制造工藝,以實(shí)現(xiàn)在高壓和毫米波(mmW)頻率下的高效運(yùn)行。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

MACOM將攜手北卡羅來(lái)納州立大學(xué)、Adroit Materials和海軍研究實(shí)驗(yàn)室(NRL)等寬帶隙半導(dǎo)體商業(yè)飛躍(CLAWS)微電子共享中心的成員共同推進(jìn)該項(xiàng)目。美國(guó)國(guó)防部通過(guò)《芯片與科學(xué)法案》對(duì)其提供資金,項(xiàng)目首年的資助金額為340萬(wàn)美元。

MACOM強(qiáng)調(diào),該項(xiàng)目進(jìn)一步擴(kuò)展了公司與美國(guó)國(guó)防部在氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的合作。其中包括2021年與美國(guó)空軍研究實(shí)驗(yàn)室(AFRL)簽訂的合作研究與發(fā)展協(xié)議(CRADA),在該合作中,MACOM成功將AFRL的0.14μm碳化硅基氮化鎵MMIC工藝轉(zhuǎn)移到其位于馬薩諸塞州的美國(guó)可信鑄造廠。

進(jìn)入2023年,MACOM獲得了一份價(jià)值400萬(wàn)美元的AFRL合同以及來(lái)自國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)的1010萬(wàn)美元撥款。合同資金將用于開(kāi)發(fā)毫米波應(yīng)用的氮化鎵技術(shù),而撥款則旨在改善高功率應(yīng)用的散熱問(wèn)題。

今年初,MACOM還獲得了一份由《芯片和科學(xué)法案》資助的氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)合同,金額高達(dá)1140萬(wàn)美元。集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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