11月19日,三安光電在互動平臺回答投資者提問,對湖南三安、重慶三安8英寸碳化硅相關進展進行了介紹。
三安光電表示,湖南三安已擁有碳化硅配套產(chǎn)能1.6萬片/月,后續(xù)擴產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達到36萬片/年,目前8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)小批量出貨,8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在安裝調(diào)試中。8月底重慶三安已實現(xiàn)襯底廠的點亮通線,產(chǎn)能處于起步階段,目前產(chǎn)能1000片/月。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
湖南三安項目方面,7月24日,湖南三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式,這標志著湖南三安碳化硅項目二期通線在即。
據(jù)悉,湖南三安碳化硅項目總投資160億人民幣,旨在打造6英寸/8英寸兼容碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達產(chǎn)后,將具備年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓、48萬片8英寸碳化硅晶圓的制造能力。預計到今年12月,M6B將實現(xiàn)點亮通線,8英寸碳化硅芯片將正式投產(chǎn),湖南三安半導體正式轉型為8英寸碳化硅垂直整合制造商。
三安光電還在互動平臺表示,湖南三安針對車規(guī)級市場,車載充電機、空調(diào)壓縮機用SiC MOSFET已實現(xiàn)小批量出貨,主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在重點新能源汽車客戶處導入可靠性驗證。
重慶三安項目方面,2023年6月,三安光電和意法半導體同時官宣在重慶合資建廠,進行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計劃。項目預計投資總額達32億美元,將于2028年全面達產(chǎn)。同時,三安光電獨立投資70億元人民幣配套建設一座8英寸碳化硅襯底廠。
其中,“襯底廠”重慶三安由三安光電全資子公司湖南三安于2023年7月全資設立,專業(yè)從事碳化硅晶圓生長、襯底制造,規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅襯底48萬片,“芯片廠”安意法由湖南三安(51%)與意法半導體(中國)投資有限公司(49%)于2023年8月共同出資設立,規(guī)劃達產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片。
目前,主要生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底的重慶三安項目已實現(xiàn)襯底廠的點亮通線,“芯片廠”安意法預計11月底將整體通線。(集邦化合物半導體Zac整理)
更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。