12月11日，美國商務(wù)部宣布為BAE Systems提供約3500萬美元（折合人民幣約2.5億元）的初始資金，用于對新罕布什爾州納舒厄的微電子中心 (MEC) 進行現(xiàn)代化改造。
MEC是一家占地110000平方英尺、經(jīng)美國防部 (DoD) 認(rèn)證的芯片制造工廠，是美國境內(nèi)唯一以國防應(yīng)用為中心的6英寸GaAs和GaN HEMT晶圓代工廠。
據(jù)悉，這是《芯片和科學(xué)法案》部分條例頒布以來首次資助公告，該法案旨在加強美國制造業(yè)、供應(yīng)鏈和國家安全。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
這筆約3500萬美元的資金將與BAE Systems在現(xiàn)代化改造和研發(fā)方面的持續(xù)投資相結(jié)合。該款項將幫助其購買新的生產(chǎn)設(shè)備，減輕供應(yīng)鏈風(fēng)險、提高產(chǎn)能并縮短產(chǎn)品制造時間。工廠效率提高后能夠擴大生產(chǎn)規(guī)模，以滿足美國防部技術(shù)發(fā)展日益增長的需求，為包括衛(wèi)星通信、測試和測量設(shè)備市場在內(nèi)的非國防工業(yè)提供關(guān)鍵的微電子產(chǎn)品。
據(jù)了解，GaN和GaAs是當(dāng)今全球最先進的有源相控陣?yán)走_的核心材料。此外，電子戰(zhàn)設(shè)備、防控導(dǎo)彈系統(tǒng)和反無人機武器等國防領(lǐng)域內(nèi)都有搭載GaN器件的示例。
由于GaN器件在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛，美國政府為增強國防實力，不斷提升其國內(nèi)GaN晶圓的產(chǎn)能。比如，格芯10月份獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠每月可生產(chǎn)超過5萬片晶圓。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）
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