天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱時代電氣）公開一項“一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車”專利，申請公布號CN117220562A，申請日期為2023年8月30日。
該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車，高壓SiC電機控制器中，上蓋板和下蓋板分別連接箱體頂部和底部，下蓋板內(nèi)設有支撐電容，支撐電容延伸至箱體內(nèi)；濾波器設置在箱體側部，分別與高壓線束和支撐電容連接；SiC模塊設置在箱體底部，分別與支撐電容和三相連接組件Ⅰ的輸入端連接，三相連接組件Ⅰ的輸出端與三相連接組件Ⅱ的輸入端連接，三相連接組件Ⅱ的輸出端與電機連接；驅(qū)動板設置在SiC模塊上部，SiC模塊與驅(qū)動板連接；控制板設置在驅(qū)動板上部，控制板與驅(qū)動板之間設有屏蔽板，控制板與驅(qū)動板進行線束連接。本發(fā)明具有結構緊湊、裝配簡單、體積小巧且密封性能好等優(yōu)點。
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值得一提的是，時代電氣去年還取得多項SiC相關專利，包括“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”、“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”。
其中，“SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件”專利授權公告號CN112701151B，授權公告日為2022年5月6日。
該專利摘要顯示，本公開提供一種SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。該方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉積生長掩膜層；刻蝕所述掩膜層，在所述掩膜層上形成第一刻蝕槽；再次刻蝕所述掩膜層，在所述第一刻蝕槽內(nèi)形成第二刻蝕槽；通過第一刻蝕槽和第二刻蝕槽構成的離子注入窗口，注入第一高能離子，形成階梯狀形貌的阱區(qū)；注入第二高能離子，形成源區(qū)。本公開通過階梯狀形貌的離子注入窗口，來實現(xiàn)自對準工藝，可以非常精確的實現(xiàn)對溝道長度和位置的控制，工藝簡單穩(wěn)定。同時，形成階梯狀形貌的P阱區(qū)，擴展了兩個P阱區(qū)之間的JFET區(qū)，增大了JFET區(qū)電流橫向輸出路徑，進一步提升器件大電流密度輸出能力。
此外，“碳化硅肖特基二極管及其制備方法”專利授權公告號CN112713199B，授權公告日為2022年10月11日。
該專利摘要顯示，本公開提供一種碳化硅肖特基二極管及其制備方法。該二極管包括：第一導電類型碳化硅襯底、位于所述襯底上方的第一導電類型漂移層、位于所述漂移層上方的第二導電類型阻擋層和位于所述阻擋層上方的第一導電類型過渡層，所述過渡層包括用于設置所述肖特基二極管的結勢壘區(qū)和位于所述結勢壘區(qū)兩側的結終端保護區(qū)。本公開通過在SiC JBS漂移層上形成導電類型相反的碳化硅阻擋層，在不增加正向?qū)娮璧那疤嵯拢鉀Q了SiC JBS反向漏電過大的問題，特別是反向偏壓低電壓時，肖特基反向漏電隨電壓增長而快速增大的問題。
目前，時代電氣正在大力布局SiC相關產(chǎn)品。根據(jù)時代電氣在去年4月發(fā)布的公告，時代電氣控股子公司中車時代半導體擬投資46160萬元人民幣（最終投資金額以實際投資金額為準）實施SiC芯片生產(chǎn)線技術能力提升建設項目，通過本項目實施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線。時代電氣在上述公告中稱，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車等市場均已實現(xiàn)應用示范。
而在今年7月，時代電氣在互動平臺表示，公司針對800V充電樁系統(tǒng)推出的SiC MOSFET芯片產(chǎn)品，正處于應用推廣階段。同時，SiC電驅(qū)產(chǎn)品C-Power 220s正處于整車廠送樣驗證階段，系統(tǒng)效率最高可達94%。（來源：天眼查，集邦化合物半導體整理）
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