據(jù)外媒消息，近日，韓國(guó)APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。
為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Aprosemicon將在龜尾生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體外延片，并優(yōu)先供應(yīng)給蓄電池充放電設(shè)備使用。
外延片是GaN半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，而韓國(guó)的GaN外延片目前主要依靠進(jìn)口。為了打破這一局面，APRO Semicon除了設(shè)計(jì)GaN半導(dǎo)體外，還于2021年引進(jìn)了韓國(guó)首臺(tái) MOCVD（8 英寸GaN功率半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)設(shè)備），并建立了外延片生產(chǎn)體系。該公司表示，其生產(chǎn)的GaN功率半導(dǎo)體符合半導(dǎo)體合同制造商（代工廠）所要求的質(zhì)量、均勻性和產(chǎn)量，并確保了價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)公開(kāi)資料顯示，APRO Semicon成立于2020 年，前身是蓄電池設(shè)備公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半導(dǎo)體部門(mén)?，F(xiàn)今它已在該領(lǐng)域取得一些成就，為全球下一代化合物半導(dǎo)體提供核心材料和零件，還可為電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)交通和家用電器所需的GaN功率半導(dǎo)體和射頻GaN半導(dǎo)體提供從設(shè)計(jì)到制造的一體化解決方案。
與硅（Si）基半導(dǎo)體相比，GaN半導(dǎo)體具有高電壓和高耐熱性，作為下一代功率半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。APROSEMICON計(jì)劃通過(guò)此次投資，從德國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商愛(ài)思強(qiáng)（AIXTRON）購(gòu)買(mǎi)兩臺(tái)MOCVD設(shè)備，到2025年將GaN外延片的年生產(chǎn)能力擴(kuò)大到20000片。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，在車(chē)載領(lǐng)域的應(yīng)用頻次正在逐漸提升，尤其是在電動(dòng)汽車(chē)（EV）和混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）中。GaN技術(shù)因其高效率、高頻率操作能力和小尺寸等優(yōu)勢(shì)，在車(chē)載電力電子系統(tǒng)中展現(xiàn)出良好的潛力。
文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯
據(jù)外媒消息，近日，韓國(guó)APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。
為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Aprosemicon將在龜尾生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體外延片，并優(yōu)先供應(yīng)給蓄電池充放電設(shè)備使用。
外延片是GaN半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，而韓國(guó)的GaN外延片目前主要依靠進(jìn)口。為了打破這一局面，APRO Semicon除了設(shè)計(jì)GaN半導(dǎo)體外，還于2021年引進(jìn)了韓國(guó)首臺(tái) MOCVD（8 英寸GaN功率半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)設(shè)備），并建立了外延片生產(chǎn)體系。該公司表示，其生產(chǎn)的GaN功率半導(dǎo)體符合半導(dǎo)體合同制造商（代工廠）所要求的質(zhì)量、均勻性和產(chǎn)量，并確保了價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。
據(jù)公開(kāi)資料顯示，APRO Semicon成立于2020 年，前身是蓄電池設(shè)備公司KOSDAQ和上市公司APRO 的半導(dǎo)體部門(mén)?，F(xiàn)今它已在該領(lǐng)域取得一些成就，為全球下一代化合物半導(dǎo)體提供核心材料和零件，還可為電動(dòng)汽車(chē)、電動(dòng)交通和家用電器所需的GaN功率半導(dǎo)體和射頻GaN半導(dǎo)體提供從設(shè)計(jì)到制造的一體化解決方案。
與硅（Si）基半導(dǎo)體相比，GaN半導(dǎo)體具有高電壓和高耐熱性，作為下一代功率半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。APROSEMICON計(jì)劃通過(guò)此次投資，從德國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商愛(ài)思強(qiáng)（AIXTRON）購(gòu)買(mǎi)兩臺(tái)MOCVD設(shè)備，到2025年將GaN外延片的年生產(chǎn)能力擴(kuò)大到20000片。
GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，在車(chē)載領(lǐng)域的應(yīng)用頻次正在逐漸提升，尤其是在電動(dòng)汽車(chē)（EV）和混合動(dòng)力汽車(chē)（HEV）中。GaN技術(shù)因其高效率、高頻率操作能力和小尺寸等優(yōu)勢(shì)，在車(chē)載電力電子系統(tǒng)中展現(xiàn)出良好的潛力。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯）
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