利普思推出全新62mm封裝SiC模塊產(chǎn)品組合，性能達到業(yè)內(nèi)一流水平。模塊采用工業(yè)領(lǐng)域大量應用的62mm模塊半橋型拓撲設(shè)計，使用高品質(zhì)的成熟芯片，其耐壓高、功率密度出眾、短路耐量高、溫度系數(shù)在1.4倍，優(yōu)于行業(yè)水平。62mm封裝SiC模塊包含1200V和1700V耐壓規(guī)格，滿足大功率應用需求，特別適用于電網(wǎng)、軌交、儲能、大電源等應用。
得益于采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的芯片方案，并運用了低熱阻和低雜散封裝技術(shù)，以及Si3N4 AMB低熱阻基板的使用，使得利普思62mm封裝SiC產(chǎn)品在功率密度、短路耐流、熱阻等能力方面發(fā)揮出色，特別是在高結(jié)溫的工況下，模塊導通損耗和開關(guān)損耗指標顯著優(yōu)于行業(yè)水準。
如上圖所示，在客戶實際測試和應用中，對比市場主流產(chǎn)品62mm封裝SiC模塊，在同等Rg條件下，利普思模塊在導通、關(guān)斷、反向恢復等損耗均表現(xiàn)更好，且可以實現(xiàn)更快的開關(guān)速度，這一特性為客戶的應用和驅(qū)動參數(shù)的設(shè)置上帶來了更靈活的選擇。
來源：利普思半導體
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