24萬(wàn)片,普興電子6英寸SiC外延片項(xiàng)目啟動(dòng)

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 02 月 26 日 18:30 | 分類 企業(yè)

2月26日,河北普興電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱普興電子)官網(wǎng)信息顯示,公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”進(jìn)行了第一次環(huán)境影響評(píng)價(jià)信息公示(以下簡(jiǎn)稱公告)。

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公告顯示,本項(xiàng)目總投資35070.16萬(wàn)元,利用公司1#廠房進(jìn)行改擴(kuò)建,建筑面積約4000平米,購(gòu)置碳化硅(SiC)外延設(shè)備及配套設(shè)備116臺(tái)(套)形成一條6英寸低密度缺陷SiC外延材料生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片SiC外延片的生產(chǎn)能力。

普興電子官網(wǎng)資料顯示,公司成立于2000年11月,致力于高性能半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn),是中電科半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱電科材料)控股子公司。普興電子的主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號(hào)的硅基外延片、氮化鎵(GaN)和SiC外延片,可廣泛應(yīng)用于清潔能源、新能源汽車、航空航天、汽車、計(jì)算機(jī)、平板電腦、智能手機(jī)、家電等領(lǐng)域。

近年來(lái),電科材料下屬普興電子積極布局第三代半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)生產(chǎn),在2021年9月啟動(dòng)了占地面積130畝的新外延材料產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)項(xiàng)目,并于2022年4月完成主廠房封頂,9月搬入首批生產(chǎn)、檢驗(yàn)設(shè)備,11月即實(shí)現(xiàn)了首片硅外延和SiC外延下線,標(biāo)志著該產(chǎn)業(yè)基地正式進(jìn)入試生產(chǎn)和驗(yàn)證階段。

據(jù)悉,2022年4月,普興電子還公示一項(xiàng)“6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,本項(xiàng)目總投資18000萬(wàn)元,租用同輝公司(隸屬于中電科十三所)現(xiàn)有廠房,采購(gòu)SiC外延爐15臺(tái)及配套測(cè)試儀器等,建設(shè)完成1條6英寸SiC外延片批量生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)6英寸SiC外延片6萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

隨著6英寸低密度缺陷SiC外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落地實(shí)施,普興電子6英寸SiC外延片產(chǎn)能將得到較大提升,有助于公司進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體外延材料領(lǐng)域布局。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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