今年2月，上海道宜半導體材料有限公司（以下簡稱道宜半導體）完成數(shù)千萬元PreA++輪融資，本輪融資由元禾原點領(lǐng)投，多家產(chǎn)業(yè)機構(gòu)跟投。本輪資金將用于產(chǎn)能擴充及產(chǎn)品研發(fā)。
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官網(wǎng)資料顯示，上海道宜半導體材料有限公司成立于2020年5月，是一家專業(yè)從事各種半導體器件、功率模塊等電子封裝用環(huán)氧塑封料的研發(fā)、制造、銷售和技術(shù)服務企業(yè)。
該公司總部位于中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)，臨港項目擬總投資約2.5億元。現(xiàn)建有設備先進的環(huán)氧塑封料生產(chǎn)線2條、在建生產(chǎn)線2條，達產(chǎn)后總產(chǎn)能約8000噸/年，主要用于生產(chǎn)中高端環(huán)氧塑封料產(chǎn)品。同時建有先進的環(huán)氧塑封料技術(shù)研發(fā)及測試中心。
據(jù)悉，道宜半導體多款用于功率模塊封裝、QFN、BGA等領(lǐng)域的封裝材料，已在多個國際客戶完成測試并實現(xiàn)首次國產(chǎn)替代。
值得一提的是，2023年5月，道宜半導體宣布其DYG550系列高Tg（250℃）環(huán)氧模塑封料（EMC）已通過國際權(quán)威第三方認證機構(gòu)SGS 的CTI測試，其結(jié)果＞600V。據(jù)稱，此次認證產(chǎn)品基于車規(guī)級IGBT和碳化硅（SiC）功率模塊開發(fā)，具有更高的電器絕緣性能和抗電弧能力，能極大提高模塊的工作穩(wěn)定性，并且滿足新能源汽車元件在更高電壓和更惡劣的環(huán)境下的使用要求，適用于SiC功率模塊封裝。
道宜半導體表示，SiC功率模塊的興起推動了車規(guī)級封裝材料的發(fā)展。相比硅材料，SiC芯片本身具有場強、能隙、熱導率、熔點、電子遷移率等方面的新特性，這對車規(guī)級封裝材料提出了新要求和挑戰(zhàn)。
未來規(guī)劃方面，道宜半導體將會加大對SiC方向的研發(fā)投入，其中包括擴大規(guī)模，幫助客戶快速擴增SiC功率模塊產(chǎn)能。（集邦化合物半導體Zac整理）
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