近期，GaN產業(yè)各類動態(tài)讓人目不暇接，涉及技術進展、新品發(fā)布、項目建設、融資并購、廠商合作等方方面面，而在近日，GaN產業(yè)鏈又新增兩起合作案例，這在一定程度上顯示了GaN產業(yè)熱度正在持續(xù)上漲。
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CGD與ITRI簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，在為USB-PD適配器開發(fā)高性能 GaN 解決方案方面加強合作。
CGD首席商務官Andrea Bricconi表示，CGD 將于6月在紐倫堡舉行的PCIM展會上展示部分 ITRI 的電路板設計。通過利用CGD獨特的IC芯片架構和ITRI的專利設計，這些設計實現(xiàn)了縮小應用尺寸、高能效、高功率密度，提高了競爭力。
ITRI商用電源設計團隊負責人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增強型GaN ICeGaN系列產品提高了易用性，促進了智能溫度控制，并提高了柵極可靠性。
據(jù)悉，USB-PD適配器是GaN市場上首類商用化產品，也是CGD和ITRI首次合作瞄準的領域。雙方合作協(xié)議涵蓋了為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30W/in3的電源解決方案，功率范圍140-240W。
資料顯示，CGD是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。
佳恩半導體與西安電子科技大學達成戰(zhàn)略合作
5月28日，青島佳恩半導體有限公司（以下簡稱佳恩半導體）與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。
此次合作，雙方將共同研究開展GaN功率器件結構設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結構及參數(shù)，基于GaN器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對GaN功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結構的內在關聯(lián)，開展GaN功率器件的柵結構及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。
作為一家功率半導體技術設計公司，佳恩半導體致力于高端半導體功率器件的設計、開發(fā)、制造及銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導體芯片的設計和工藝集成技術，并建有IGBT產品性能測試、應用及可靠性試驗室。
產品方面，佳恩半導體自主研發(fā)的產品涵蓋了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。
終端應用方面，佳恩半導體研發(fā)的產品被廣泛應用于變頻器、高鐵配套設施、工業(yè)逆變控制、無刷電機驅動、電焊機、電磁感應加熱、UPS、汽車充電樁及消費類開關電源等領域。（集邦化合物半導體Zac整理）
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