據(jù)青松資本公眾號消息，近日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司（下文簡稱“思銳智能”）完成了最新一輪融資。合投機構(gòu)包括中金資本、中車四方所、中車資本、石溪資本、千帆資本等知名機構(gòu)。
據(jù)介紹，思銳智能主要聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案，公司產(chǎn)品有原子層沉積鍍膜(ALD)設(shè)備、薄膜電發(fā)光顯示器(LDI)設(shè)備以及離子注入（IMP）設(shè)備三大產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。
在融資端來看，天眼查顯示，目前思銳智能已完成5輪融資。其中，披露的A輪和B輪都達到了數(shù)億元。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
在產(chǎn)品端來看，針對SiC，思銳智能推出了兩款離子注入設(shè)備——SRII-200 SiC中能大束流離子注入機和SRII-4.5M SiC高能離子注入機，廣泛應(yīng)用于SiC材料研究和半導(dǎo)體器件制備領(lǐng)域。
由于GaN領(lǐng)域涉及到非常多ALD相關(guān)的應(yīng)用，而思銳智能的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備能夠有效增強GaN器件的性能，該系列設(shè)備于2023年7月獲得了GaN器件大廠英諾賽科的訂單。思銳智能Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備將被用于英諾賽科GaN晶圓制造前道工藝，用以支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴充。
值得一提的是，思銳智能的Transform系列已進入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區(qū)知名廠商，并實現(xiàn)重復(fù)訂單。
此次融資的完成，有望助力思銳智能推進ALD業(yè)務(wù)升級和離子注入設(shè)備業(yè)務(wù)取得突破，逐步完成硅基及化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域全系列機型的布局。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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