7月25日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱，其擬以支付現(xiàn)金的方式收購(gòu)北京國(guó)聯(lián)之芯企業(yè)管理中心（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱國(guó)聯(lián)之芯）持有的北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾）5.3971%股權(quán)。
公告顯示，中瓷電子與國(guó)聯(lián)之芯于2024年7月26日簽署了《河北中瓷電子科技股份有限公司與北京國(guó)聯(lián)之芯企業(yè)管理中心（有限合伙）關(guān)于北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司之股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾為中瓷電子前次重大資產(chǎn)重組的標(biāo)的公司之一，且為配套募集資金投資項(xiàng)目“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”及“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”的實(shí)施主體。本次交易完成后，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾將成為中瓷電子的全資子公司。
去年3月，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購(gòu)買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。
中瓷電子還同時(shí)宣布擬向不超過(guò)35名特定對(duì)象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過(guò)25億，投向“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”、“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”等4個(gè)項(xiàng)目。
其中，“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”將在國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾已有碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)線基礎(chǔ)上，搭建碳化硅功率模塊封測(cè)線，建設(shè)滿足車規(guī)級(jí)、風(fēng)力發(fā)電、高壓電網(wǎng)等應(yīng)用的碳化硅功率模塊產(chǎn)品產(chǎn)能。
“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，制定了3300V碳化硅MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅MOSFET芯片柵極氧化技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅MOSFET芯片晶圓減薄技術(shù)研發(fā)、3300V碳化硅高壓功率模塊封裝技術(shù)研發(fā)四個(gè)研發(fā)課題，滿足3300V碳化硅高壓功率模塊對(duì)柵極氧化技術(shù)、刻蝕技術(shù)、減薄技術(shù)和封裝技術(shù)等方面的要求，最終實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的目標(biāo)。
目前，國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾碳化硅功率模塊包括650V、1200V和1700V等系列產(chǎn)品，其中，車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET模塊已向國(guó)內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬(wàn)只。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。