9月29日，據(jù)武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡稱：鑫威源電子）官微消息，鑫威源電子近日在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線完成通線試產(chǎn)。
source：鑫威源電子
據(jù)悉，氮化鎵激光器芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器芯片。這種芯片利用氮化鎵的優(yōu)異光電特性，具有高功率、高速光電轉(zhuǎn)換能力，能夠在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下產(chǎn)生紫光激光。
氮化鎵激光器芯片的研發(fā)成功，不僅解決了傳統(tǒng)激光器在高溫、高功率應用中的限制，還為光電領(lǐng)域帶來了新的技術(shù)突破。特別是在紫光激光技術(shù)方面，氮化鎵激光器芯片能夠在更廣泛的波長范圍內(nèi)產(chǎn)生高質(zhì)量的激光輸出，為光電顯示、光存儲、光通信等領(lǐng)域提供了新的解決方案。
官網(wǎng)資料顯示，鑫威源電子從事氮化鎵半導體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝等的設計與開發(fā)，以及產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)氮化鎵半導體激光器的產(chǎn)業(yè)化。
據(jù)悉，鑫威源電子投資打造的大功率氮化鎵半導體激光器產(chǎn)業(yè)化項目，于今年4月在武漢市江夏區(qū)大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園完成廠房建設，無塵車間內(nèi)的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統(tǒng)相繼達標并投入使用。
廠房竣工后，鑫威源電子完成了超過一百臺套制造設備的安裝和調(diào)試，打通了芯片制造產(chǎn)線。在廠區(qū)內(nèi)，鑫威源電子還完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉(zhuǎn)移，并進行了產(chǎn)品試驗生產(chǎn)。
今年9月，鑫威源電子實現(xiàn)了藍光450nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光電轉(zhuǎn)換效率WPE達到45%，產(chǎn)品技術(shù)可以滿足市場對大功率氮化鎵半導體激光器的應用要求。
鑫威源電子表示，氮化鎵半導體激光器芯片項目正式投產(chǎn)后，將有效填補國內(nèi)高端可見光激光器市場的研發(fā)與制造空白，加速氮化鎵半導體激光器在國內(nèi)的普及與應用。
目前，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界在氮化鎵激光器芯片研發(fā)制造方面已取得一定進展。例如，北京大學物理學院的?胡曉東教授團隊通過獨創(chuàng)的晶體外延技術(shù)和一系列創(chuàng)新工藝，成功攻克了氮化鎵激光芯片的制備與封裝難題，這些技術(shù)突破不僅提升了氮化鎵激光器芯片的性能，也為未來的大規(guī)模生產(chǎn)和應用奠定了基礎(chǔ)。（集邦化合物半導體整理Zac整理）
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