邀 請 函
尊敬的各位專家、學者和同仁：
為搭建氧化鎵材料與器件研究領(lǐng)域科研技術(shù)人員相互交流與合作的平臺，促進氧化鎵學術(shù)、技術(shù)的交流合作和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，展示相關(guān)領(lǐng)域最新研究成果，進一步推動相關(guān)領(lǐng)域基礎(chǔ)研究和應(yīng)用技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展。為此我單位定于2025年1月16-19日在海南省*三亞市舉辦“2025全國氧化鎵及相關(guān)材料與器件學術(shù)交流會”屆時將邀請國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域知名專家學者做大會學術(shù)報告，以高端主題報告、口頭報告、技術(shù)交流，產(chǎn)品展示等方式進行深入、廣泛的研討和交流，共同探討交流最新成果。
為此，我們誠摯邀請全國科研機構(gòu)、大學院校和相關(guān)企事業(yè)單位以及從事氧化鎵相關(guān)材料與器件研究和應(yīng)用的同仁到會交流，合作共贏，共同推動氧化鎵材料和相關(guān)器件的新進展。共聚人脈、共享資源、共謀發(fā)展！現(xiàn)就有關(guān)事宜通知如下：
一、會議形式：大會報告、邀請報告、學術(shù)交流、論文宣講、現(xiàn)場解答
二、會議交流主要議題及征文方向和范圍（包括不限于）：
1.氧化鎵器件及應(yīng)用；
2.氧化鎵材料；
3.氧化鎵晶體生長與加工；
4.氧化鎵功率器件；
5.氧化鎵薄膜及其外延技術(shù)；
6.氧化鎵光電器件；
7.氧化鎵單晶襯底制備；
8.氧化鎵半導體電子研究；
9.氮化鎵基半導體材料與器件以及開發(fā)領(lǐng)域的前沿課題的研究；
10.氮化鎵/氧化鎵基傳感器/憶阻器芯片制作與集成技術(shù)；
11.氮化鎵基材料的交叉學科開拓性前沿技術(shù)；
12.寬禁帶半導體(氧化鋅、氮化鎵)薄膜材料的外延生長、表征及器件應(yīng)用；
13.氮氧化物和氮化物材料的制備及其在光催化領(lǐng)域中的應(yīng)用；
14.超寬禁帶半導體(金剛石、氧化鎵、氮化鋁)器件材料與設(shè)備；
15.寬禁帶半導體氧化鎵單晶；
16.硅基氮化鎵毫米波器件與芯片；
17.氧化物半導體納米結(jié)構(gòu)及其光催化；
18.氮化鎵異質(zhì)集成研究；
19.氧化鋅基半導體發(fā)光材料與器件；
20.氮化鎵單晶材料生長及表征；
21.其他化合物半導體材料研究開發(fā)新進展、新技術(shù)、新成果。
三、擬邀出席本次會議部分報告嘉賓如下（排名不分先后）
吉林大學 田文晶 教 授
北京科技大學 陳明文 教 授
中山大學 陳 軍 教 授
大連理工大學 黃火林 教 授
北京化工大學 馮士維 教 授
昆明學院 楊 海 教 授
重慶師范大學 李萬俊 教 授
廈門大學 鄭高峰 教 授
東莞理工學院 周 海 教 授
題目：氧化納米棒的缺陷調(diào)控及光電性能研究
北京納米能源與系統(tǒng)研究所 楊 亞 教 授
北京納米能源與系統(tǒng)研究所 孫其君 研究員
南京大學 修向前 教 授
題目：鹵化物氣相外延生長氧化鎵及其應(yīng)用研究
持續(xù)更新中······
四、邀請報告及論文宣講申請
1.參會者在12月25日前提交參會回執(zhí)，填寫報告題目。報告時長15分鐘。
2.報告者需要提交個人照片和個人介紹（用于網(wǎng)絡(luò)宣傳）。但研究生無需提交個人材料，直接按流程匯報PPT。組委會將為報告人簽發(fā)報告證書。
五、會議時間與地點
報到時間：2025年1月16日 全天報到（09:00-23:00）
會議時間：2025年1月17日-19日
會議地點: 三亞市*三亞新興花園大酒店（三亞灣店）
報到地點: 三亞新興花園大酒店（三亞灣店）大堂
酒店地址：海南省三亞市吉陽區(qū)河東路451號
酒店住宿標準：標 間：380元左右含雙早
大床房：380元左右含雙早
六、會議注冊
1.會議采取在線報名、郵件回執(zhí)、微信報名，不接受現(xiàn)場報名。
2.會議費及標準：
1月6日前繳費：1800元/人，研究生1400元/人
1月6日后及現(xiàn)場繳費：2000元/人，研究生1600元/人
會議費（含會議籌辦、參會邀請、專家邀約、場地、會議期間用餐等）。住宿統(tǒng)一安排，費用自理。
線上聽報告1000元/人（有發(fā)票，1月13日前完成付款）。
3.繳費方式
(1).提前繳費：
銀行轉(zhuǎn)賬匯款
(2).現(xiàn)場繳費：完成報名后，也可以現(xiàn)場繳費。
4.發(fā)票領(lǐng)?。弘娮影l(fā)票（普票）。
七、大會報告申請：
1.我們歡迎國內(nèi)青年學者參會并分享您的精彩學術(shù)報告（20分鐘左右）。會議為青年學者和您的團隊提供最佳展示平臺（申請截止時間：2025年1月5日）。
2.此舉意在鍛煉青年學者（包括研究生）的匯報能力，豐富匯報經(jīng)驗，擴大本人在國內(nèi)氧化鎵材料及技術(shù)領(lǐng)域的知名度和影響力，積極與同行交流合作，借助本次會議平臺獲得更多專家及行業(yè)同仁認可和贊譽。
3.需要您提交個人照片（用于網(wǎng)絡(luò)宣傳）、個人介紹（用于介紹您）。注：研究生無需提交個人材料，直接按流程匯報PPT。
4.為鼓勵廣大學者積極參與報告分享，凡向本次會議申請報告宣講的專家學者和研究生可提供報告邀請函和給予報告證書鼓勵！
八、墻報展示
墻報建議尺寸高120厘米，寬90厘米，自行印制帶到會場（展架自備），會務(wù)組提供膠帶貼于墻面或者提供場地供展架展示。
九、組委會聯(lián)系方式
負責事項：會務(wù)邀請、報告申請、日程/參會、商展/贊助咨詢
聯(lián)系人：孫老師
電 話：135-2136-8746（微信同步）
郵 箱：huiwuzu1108@163.com
中科材研（北京）新材料技術(shù)中心
2025全國氧化鎵及相關(guān)材料與器件學術(shù)交流會
組 委 會
2024年10月28日