【會議預告】華燦光電:GaN功率器件創(chuàng)新應用市場前景分析

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 15 日 17:40 | 分類 氮化鎵GaN

GaN功率器件具有良好的耐熱性、導電性和散熱性。與硅元件相比,GaN功率器件具有更高的電流密度和遷移率。

基于GaN功率器件的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)作為電力電子領域的核心技術(shù)之一,廣泛應用于消費電子、數(shù)據(jù)中心等諸多領域,是推進電能高效利用的關鍵技術(shù),也是節(jié)能減排的重要技術(shù)。

華燦光電十五年聚焦GaN在LED領域的技術(shù)研發(fā),并于2020正式進入氮化鎵基電力電子器件領域,產(chǎn)品主要面向移動消費電子終端快速充電器、其他電源設備,云計算大數(shù)據(jù)服務器中心、通信及汽車應用等領域。

2023年6月15日,TrendForce集邦咨詢特在深圳福田JW萬豪酒店舉辦“第三代半導體前沿趨勢研討會”。

屆時,華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺將出席,給大家?guī)怼禛aN功率器件創(chuàng)新應用市場前景分析》主題演講,同場還有更多“重量級”嘉賓,給大家進一步剖析第三代半導體的現(xiàn)狀和未來。

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