天域、廣東光大等第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目動(dòng)工建設(shè)

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 20 日 10:02 | 分類 碳化硅SiC

3月17日,廣東東莞隆重舉行2023年首批重大項(xiàng)目動(dòng)工儀式,啟動(dòng)天域半導(dǎo)體、光大半導(dǎo)體、比亞迪汽車零部件等60個(gè)重大項(xiàng)目建設(shè)。

2023年首批動(dòng)工重大項(xiàng)目中,天域半導(dǎo)體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目總投資80億,建筑面積約24萬平方米,將建設(shè)年產(chǎn)能120萬片的碳化硅外延晶片大型生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)2023年內(nèi)完成第一期17萬片年產(chǎn)能的建設(shè)。

資料顯示,天域半導(dǎo)體成立于2009年,是我國(guó)最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。近日,公司剛獲得近12億元融資,融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長(zhǎng)研發(fā)投入。

天域半導(dǎo)體項(xiàng)目效果圖

廣東光大第三代半導(dǎo)體科研制造中心1區(qū),總投資44億元,占地面積約202畝,建筑面積約19萬平方米,建成后主要生產(chǎn)制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。

資料顯示,廣東光大集團(tuán)以寬禁帶半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ),先后成立中鎵、中圖、中晶、中麒等公司,重點(diǎn)發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),已實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底、芯片、外延片、先進(jìn)顯示等項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化。

光大半導(dǎo)體項(xiàng)目效果圖

兩個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目順利開工建設(shè),將有助于緩解國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的原材料“卡脖子”問題,助力我國(guó)新能源汽車、太陽能光伏、新型顯示等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。(來源:東莞市發(fā)展和改革局、LEDinside整理)

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