隨著導(dǎo)電型SiC襯底的逐漸量產(chǎn),對工藝的穩(wěn)定性、可重復(fù)性都提出更高的要求。特別是缺陷的控制,爐內(nèi)熱場微小的調(diào)整或漂移,都會帶來晶體的變化或缺陷的增加。
后期,更要面臨“長快、長厚、長大”的挑戰(zhàn),除了理論和工程的提高外,還需要更先進(jìn)的熱場材料作為支撐。使用先進(jìn)材料,長先進(jìn)晶體。
熱場中坩堝的材料,石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當(dāng),會帶來碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應(yīng)用場合,多孔石墨的透氣率不夠,需要額外開孔來增加透氣率。透氣率大的多孔石墨,面臨加工、掉粉、蝕刻等挑戰(zhàn)。
日前,恒普科技全球首發(fā),推出了全新一代SiC晶體生長熱場材料,多孔碳化鉭。
碳化鉭的強(qiáng)度和硬度都很高,做成多孔狀,更是挑戰(zhàn)。做成孔隙率大、純度高的多孔碳化鉭更是極具挑戰(zhàn)。恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化鉭,孔隙率最大可以做到75%,達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
此外,氣相組元過濾,調(diào)整局部溫度梯度,引導(dǎo)物質(zhì)流方向,控制泄露等都可以使用;可與恒普科技另外一款固體碳化鉭(致密)或碳化鉭涂層,形成局部不同流導(dǎo)的構(gòu)件;部分構(gòu)件可以重復(fù)使用。
技術(shù)參數(shù)
孔隙率??≤75%??國際領(lǐng)先
形狀:片狀、筒狀 ?國際領(lǐng)先
孔隙度均勻
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來源:恒普科技
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