直擊深圳國際半導(dǎo)體展:30+三代半廠商亮相!

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 05 月 18 日 11:36 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

5月16日,為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大開幕。

本屆展會以“芯機(jī)會 智未來〞為主題,涵蓋6大特色展區(qū),包括電子元器件、IC設(shè)計&芯片、晶圓制造及封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、第三代半導(dǎo)體,為各領(lǐng)域的行業(yè)人士提供了交流技術(shù)以及分享產(chǎn)業(yè)最新發(fā)展趨勢的平臺。

據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究中心了解到,此次展會,天域半導(dǎo)體、瀚天天成、爍科晶體、普興電子、Aixtron、鎵未來、納設(shè)智能、能華微、聚能創(chuàng)芯&聚能晶源、百識電子、晟光硅研、恒普科技、氮矽科技、漢驊半導(dǎo)體等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)在會上展示了以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為核心的最新研發(fā)成果和先進(jìn)技術(shù),面向工業(yè)、能源、汽車和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

天域半導(dǎo)體

此次展會現(xiàn)場,天域半導(dǎo)體重點展示了4/6英寸SiC外延片產(chǎn)品,及其子公司南方半導(dǎo)體的SiC功率器件/模塊產(chǎn)品。

天域半導(dǎo)體是全球SiC外延片的主要生產(chǎn)商之一,以先進(jìn)的SiC外延生長技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù),并持續(xù)加碼大尺寸SiC外延生長技術(shù)研發(fā),積極布局8英寸SiC產(chǎn)線。南方半導(dǎo)體則專注于半導(dǎo)體元器件及解決方案,涵蓋了功率半導(dǎo)體集成電路、晶體、芯片及檢測中心等眾多領(lǐng)域。

爍科晶體

作為國內(nèi)SiC襯底領(lǐng)先廠商,爍科晶體此次重磅展示了6/8英寸的導(dǎo)電N型和半絕緣型SiC襯底。

爍科晶體在國內(nèi)率先突破8英寸導(dǎo)電N型SiC單晶襯底制備工藝技術(shù),并已實現(xiàn)小批量銷售。目前公司已通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝,導(dǎo)電N型和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝,形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。

普興電子

本次展會上,與爍科晶體同屬于中電科半導(dǎo)體材料旗下的普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

普興電子致力于高性能Si/SiC半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn),是國內(nèi)最大的Si外延材料供應(yīng)商之一。在SiC方面,普興電子正在規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸SiC外延產(chǎn)品的生產(chǎn)項目,助力我國在新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展。

鎵未來

鎵未來本次展出了最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應(yīng)用方案。在眾多產(chǎn)品中,鎵未來特別展示了用于高效率高功率密度數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源解決方案的TOLL封裝GaN器件,TOLL封裝氮化鎵器件轉(zhuǎn)換效率高,助力能源利用的可持續(xù)發(fā)展。

在解決方案方面,其主要展示了65W、140W PD快充方案,200W小體積適配器方案,以及700W無橋圖騰柱高效率LED驅(qū)動電源方案。

瀚天天成

作為全球知名的SiC外延片生產(chǎn)商,瀚天天成在本次展會中主要展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。

瀚天天成當(dāng)前已實現(xiàn)600V~3300V SiC功率器件車規(guī)級外延片的批量生產(chǎn),全球用戶已超過140家。瀚天天成與廈門大學(xué)等單位產(chǎn)學(xué)研合作,成功實現(xiàn)基于國產(chǎn)襯底的8英寸SiC同質(zhì)外延生長。

AIXTRON

AIXTRON在本次展會上推出了G10-SiC 外延系統(tǒng),大量被業(yè)內(nèi)頂級客戶用于6/8英寸SiC晶圓外延材料生長。

AIXTRON是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先的沉積設(shè)備供應(yīng)商,其產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)被廣泛的客戶用于生產(chǎn)基于化合物或有機(jī)半導(dǎo)體材料的電子和光電應(yīng)用的高性能組件。

這些器件主要用于各種創(chuàng)新應(yīng)用、技術(shù)和行業(yè),例如LED和顯示技術(shù)、數(shù)據(jù)傳輸、傳感器技術(shù)、能源管理和轉(zhuǎn)換,通信,信號和照明技術(shù)以及許多其他要求苛刻的高科技應(yīng)用。

納設(shè)智能

納設(shè)智能在展會上向觀眾介紹了自主研發(fā)生產(chǎn)的SiC外延設(shè)備。

納設(shè)智能致力于SiC外延設(shè)備、石墨烯等先進(jìn)材料制造裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應(yīng)用推廣,公司自有SiC外延設(shè)備具有工藝指標(biāo)優(yōu)異、耗材成本低、維護(hù)頻率低等特點,產(chǎn)品從一代機(jī)更新到二代機(jī),穩(wěn)定性、可靠性大幅度的提升,目前二代機(jī)型已經(jīng)在批量生產(chǎn)與交付。

能華半導(dǎo)體

能華半導(dǎo)體本次展示了基于自身CoreGaN方案的產(chǎn)品布局。根據(jù)PD快充方案電路的特點,CoreGaN產(chǎn)品提高了閾值電壓,相比市場上已有的增強(qiáng)型器件有更優(yōu)的性能和可靠性。

能華半導(dǎo)體是一家專業(yè)設(shè)計、生產(chǎn)和銷售以GaN為代表的化合物半導(dǎo)體高性能晶圓、器件的高新技術(shù)企業(yè)。該公司GaN產(chǎn)品線涵蓋外延片、功率場效應(yīng)管、集成功率器件以及芯片代工等。公司產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)在行業(yè)中處于領(lǐng)先地位,各類產(chǎn)品已實現(xiàn)規(guī)?;a(chǎn),并擁有一批國內(nèi)外知名客戶。

恒普科技

恒普科技提供SiC相關(guān)的設(shè)備及材料解決方案,包括感應(yīng)式/電阻加熱式長晶設(shè)備與6英寸外延設(shè)備。材料方面提供碳化鉭涂層服務(wù)以及多孔石墨等長晶耗材。

恒普科技本次在現(xiàn)場展示了多孔石墨,碳化鉭涂層,與實驗晶錠。

聚能創(chuàng)芯&聚能晶源

本次展會上,聚能創(chuàng)芯&聚能晶源聯(lián)合展示了8英寸硅基氮化鎵外延片、GaN功率器件及相應(yīng)的GaN應(yīng)用方案,為目前需求旺盛的GaN快充領(lǐng)域提供了高性能、高性價比的純國產(chǎn)GaN材料、器件與應(yīng)用技術(shù)解決方案。

聚能創(chuàng)芯和聚能晶源為賽微電子旗下子公司,旨在聯(lián)合打造全球領(lǐng)先的從設(shè)計、外延,到芯片制造和器件應(yīng)用的GaN功率器件IDM企業(yè)。

??瓢雽?dǎo)體

本次展會上,??瓢雽?dǎo)體展示了自有高品質(zhì)6英寸SiC外延片。該公司憑借業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測試設(shè)備,為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導(dǎo)電型SiC外延片,目前已對十余個業(yè)內(nèi)標(biāo)桿客戶完成送樣并實現(xiàn)了采購訂單。

漢驊半導(dǎo)體

本次展會中,漢驊半導(dǎo)體推出了多系列硅基/藍(lán)寶石基GaN外延片方案,應(yīng)用于功率電力電子、微波射頻與LED。

漢驊半導(dǎo)體致力于化合物半導(dǎo)體核心材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,其獨(dú)有的硅基/藍(lán)寶石基紅、綠、藍(lán)全色氮化鎵外延技術(shù),可廣泛應(yīng)用于新一代高端顯示領(lǐng)域,可在晶圓層實現(xiàn)硅基集成電路與III-V化合物半導(dǎo)體器件的高密度常溫混合集成。另外,硅基氮化鎵電力電子外延產(chǎn)品覆蓋了增強(qiáng)型外延和耗盡型外延全應(yīng)用領(lǐng)域,適用于30伏至900伏。

百識電子

百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設(shè)立研發(fā)總部和制造工廠的專業(yè)團(tuán)隊,其可提供4/6英寸的SiC外延片服務(wù),以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務(wù)。除了標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外延片,百識電子亦可針對特殊應(yīng)用市場需求,提供客制化規(guī)格外延服務(wù)及器件開發(fā)所需的關(guān)鍵制程。

森國科

森國科此次展示了650/1200V SiC二極管以及1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。

森國科主要從事功率器件、模塊,功率IC產(chǎn)品的研發(fā),其功率器件產(chǎn)品主要包括碳化硅二極管、MOSFET,功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動芯片、無刷電機(jī)驅(qū)動芯片兩大類。

合盛新材料

本次展會上,合盛新材料向觀眾介紹了6英寸SiC晶錠、襯底、外延片的解決方案,目前該公司正在寧波建設(shè)6英寸導(dǎo)電型SiC襯底與外延片產(chǎn)線,已實現(xiàn)投資規(guī)模超過10億元。

平創(chuàng)半導(dǎo)體

平創(chuàng)半導(dǎo)體深耕電力電子半導(dǎo)體行業(yè),本次攜多種功率器件產(chǎn)品亮相展會。SiC產(chǎn)品方面,主要展出了650V~1200V SiC二極管、MOSFET以及功率模塊,產(chǎn)品與技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領(lǐng)域。

譽(yù)鴻錦

譽(yù)鴻錦本次展出了GaN材料外延、功率電子器件、光電器件等系列產(chǎn)品。

該公司業(yè)務(wù)涵蓋GaN材料外延到芯片模組的全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)能力,主要產(chǎn)品有高性能肖特基二極管(SBD)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、射頻/功率放大器(RF PA)、深紫外發(fā)光二極管(UVC-LED)等,這些產(chǎn)品廣泛用于新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領(lǐng)域。

宇騰電子

宇騰電子在本次展會上向觀眾介紹了GaN外延產(chǎn)品,該公司目前可提供6/8英寸硅基氮化鎵外延片、4/6/8英寸碳化硅基氮化鎵外延片、4/6英寸藍(lán)寶石基氮化鎵外延片等通用規(guī)格及客制化規(guī)格,公司在HEMT結(jié)構(gòu)的外延技術(shù)可提供D-mode和E-mode兩種工藝,同時支持功率和射頻領(lǐng)域的應(yīng)用。

晟光硅研

本次展會上,晟光硅研帶來了“微射流激光先進(jìn)技術(shù)”最新應(yīng)用成果,該技術(shù)已經(jīng)成功完成6英寸SiC晶錠的切割,可實現(xiàn)高效率、高質(zhì)量、低成本、低損傷、高良品率SiC單晶襯底制備,吸引業(yè)界所關(guān)注。

氮矽科技

氮矽科技向觀眾介紹了其獨(dú)特的GaN開關(guān)管、驅(qū)動芯片以及快充方案。

該公司擁有來自成都矽能科技和核心技術(shù)合作伙伴“電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室”的全力支持,目前已推出多款合封氮化鎵產(chǎn)品即PIIPTMGaN。Multi-die封裝集成具有高可靠性、低寄生參數(shù)、占板面積小、布局靈活等特點,并且提供多種封裝,供客戶選擇。

英嘉通

英嘉通在本次展會上推出了GaN、SiC功率器件系列產(chǎn)品。

該公司著力于D-mode/Cascode GaN器件設(shè)計,目前已推出多款成熟的650V GaN功率產(chǎn)品,器件成本競爭優(yōu)勢明顯,技術(shù)種類齊備,已經(jīng)得到市場廣泛的認(rèn)可,為不同的功率應(yīng)用場景提供最簡單、經(jīng)濟(jì)、高效的解決方案。同時,其SiC SBD、MOSFET 全系列產(chǎn)品于2022年進(jìn)入市場,全國產(chǎn)的產(chǎn)業(yè)鏈以及自主可控的器件、工藝技術(shù),大幅降低器件成本。

結(jié)語

除了以上廠商外,錸微半導(dǎo)體等第三代半導(dǎo)體廠商亦有相關(guān)產(chǎn)品展出等,同時有優(yōu)晶光電、頂立科技、嵐鯨光電、漢虹精密機(jī)械、中科漢達(dá)等廠商展示了SiC生長設(shè)備、輔助材料等產(chǎn)品。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Matt)

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