臺(tái)亞積極布局第三代半導(dǎo)體,新廠預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 06 月 21 日 16:29 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

6月20日,感測(cè)元件廠臺(tái)亞半導(dǎo)體總經(jīng)理衣冠君表示,積極轉(zhuǎn)型功率半導(dǎo)體元件廠,規(guī)劃占地4公頃銅鑼新廠預(yù)計(jì)2025年底完成土建工程,2026年初生產(chǎn)功率半導(dǎo)體元件。

衣冠君在股東會(huì)后記者會(huì)指出,臺(tái)亞已從LED轉(zhuǎn)型半導(dǎo)體感測(cè)元件,盼再進(jìn)一步擴(kuò)大為功率半導(dǎo)體元件廠,其中硅基氮化鎵(GaN-on-Si)方面,產(chǎn)能建置初期以6英寸晶圓為主,充分利用現(xiàn)有6英寸生產(chǎn)設(shè)備、增置關(guān)鍵有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)磊晶機(jī)。

他說(shuō),現(xiàn)已完成第一顆650V D-mode HEMT開發(fā),并送樣予客戶驗(yàn)證,其應(yīng)用范疇涵括工具機(jī)、綠能(太陽(yáng)能逆變器)、LED照明電源(模塊)、電競(jìng)筆電等多元市場(chǎng)。

臺(tái)亞持續(xù)投入寬禁帶半導(dǎo)體(俗稱第3代半導(dǎo)體)研發(fā)與制造,特別在于功率元件上的技術(shù)及應(yīng)用開發(fā),且成立“積亞半導(dǎo)體”投入碳化硅的磊晶及金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)功率元件生產(chǎn)制造,預(yù)計(jì)2023年第4季前完成6英寸碳化硅每月3000片產(chǎn)能置備,逐步開始生產(chǎn),后續(xù)產(chǎn)能目標(biāo)為每月5000片。產(chǎn)品應(yīng)用主要為電動(dòng)車載充電器(OBC)、太陽(yáng)能逆變器及充電樁。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

至于氮化鎵的8英寸產(chǎn)線將于2023年底前完成置備,并開發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件,聚焦于3C快充、云端信息存儲(chǔ)中心、電動(dòng)車、無(wú)人機(jī)市場(chǎng),目標(biāo)設(shè)定為2024年底前達(dá)每月3000片出貨量。

臺(tái)亞半導(dǎo)體股東常會(huì)通過(guò)發(fā)放每股現(xiàn)金股利1元新臺(tái)幣外,也通過(guò)去年分割出的子公司“光磊先進(jìn)顯示”未來(lái)上市柜規(guī)劃的釋股案。

衣冠君表示,除從臺(tái)亞半導(dǎo)體集團(tuán)分割成立出“光磊先進(jìn)顯示”,從事面板組裝與系統(tǒng)開發(fā)之外,也因?yàn)榭春玫?代半導(dǎo)體未來(lái)的成長(zhǎng)性,已于去年成立子公司“積亞半導(dǎo)體”,以從事碳化硅(SiC)晶圓代工;整體目的在于集團(tuán)的產(chǎn)業(yè)分工明確,有利于集團(tuán)資源整合。

他指出,臺(tái)亞半導(dǎo)體目前的主要事業(yè)仍是感測(cè)元件,隨著消費(fèi)性市場(chǎng)已從去年的谷底逐步回溫,臺(tái)亞已著手進(jìn)行策略性的產(chǎn)能調(diào)整,除滿足客戶的急單需求之外,也因應(yīng)下半年的穿戴裝置旺季,預(yù)做準(zhǔn)備。

臺(tái)亞半導(dǎo)體集團(tuán)于斥資新建寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)線時(shí),同步納入扶植臺(tái)灣地區(qū)本土設(shè)備制造商考量,臺(tái)亞第一條8英寸氮化鎵生產(chǎn)線所采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備比例已達(dá)40%以上。(來(lái)源:CNA)

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