文章分類： 碳化硅SiC

這個SiC設(shè)備廠8英寸長晶設(shè)備已開始批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 14 日 16:57 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，有投資者在互動平臺提問晶升股份關(guān)于三安與意法半導(dǎo)體擬合作開展8英寸碳化硅襯底業(yè)務(wù)對公司的影響。晶升股份表示，公司已開始8英寸碳化硅長晶設(shè)備的批量生產(chǎn)。截止目前，公司尚未與三安光電簽訂針對這個項目的正式訂單。 受益于半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展，對應(yīng)半導(dǎo)體長晶設(shè)備需求快速釋放。晶升股份...  [詳內(nèi)文]

硅光的下一代技術(shù)路線圖

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 13 日 17:28 |
| 分類: 碳化硅SiC
摘要 在光通信發(fā)展的推動下，硅光子技術(shù)已發(fā)展成為主流技術(shù)。目前的技術(shù)已經(jīng)使得集成光子器件從數(shù)千個激增到數(shù)百萬個，它們主要以數(shù)據(jù)中心通信收發(fā)器的形式出現(xiàn)，此外傳感和運算等許多令人興奮的應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品也指日可待。需要什么才能將硅光子器件的出貨量從數(shù)百萬增加到數(shù)十億？下一代硅光子技術(shù)會...  [詳內(nèi)文]

30億投資，安世半導(dǎo)體封測廠擴建項目摘牌

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 13 日 17:22 |
| 分類: 碳化硅SiC
昨日，安世半導(dǎo)體（中國）有限公司封測廠擴建項目成功摘牌。 據(jù)悉，項目總投資30億元，從事產(chǎn)業(yè)內(nèi)容包括但不限于分立器件、模擬&邏輯ICs、功率MOSFETs。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 2022年10日，安世半導(dǎo)體與東莞市黃江鎮(zhèn)人民政府簽署了《安世半導(dǎo)體（中國）有限公司封...  [詳內(nèi)文]

向8英寸進(jìn)擊，拿下SiC的天王山

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 13 日 17:20 |
| 分類: 碳化硅SiC
6月7日，平地一聲驚雷，一則合資建廠的消息震動整個SiC市場，三安光電和意法半導(dǎo)體兩位主角宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC器件廠，在此基礎(chǔ)上，三安光電再配套建一座襯底廠。根據(jù)意法半導(dǎo)體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導(dǎo)體實現(xiàn)50億美元的SiC營收，作為對比，2...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】集邦咨詢：2023全球第三代半導(dǎo)體市場機遇與挑戰(zhàn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 17:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時代材料創(chuàng)新的關(guān)鍵角色。近年來，汽車、光伏儲能等應(yīng)用帶動碳化硅市場迅速擴大，氮化鎵功率元件于消費電子市場率先放量，工業(yè)、汽車應(yīng)用潛力巨大。 目前，全球能源技術(shù)革命已經(jīng)開啟，并向材料領(lǐng)域滲透，第三代半導(dǎo)體將在實現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的過程中發(fā)揮怎樣的...  [詳內(nèi)文]

又一實驗室揭牌，瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體EDA領(lǐng)域

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 17:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，九峰山-華大九天聯(lián)合實驗室“神舟實驗室”正式揭牌。該實驗室由九峰山實驗室和北京華大九天科技股份有限公司共同組建，由北京華大九天科技股份有限公司研發(fā)副總朱能勇、九峰山實驗室無線互聯(lián)首席專家吳暢共同擔(dān)任主任。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 “神舟實驗室”將針對化合物半導(dǎo)體EDA軟...  [詳內(nèi)文]

聚焦芯片研發(fā)，上汽通用五菱與電科芯片簽署協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 17:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，上汽通用五菱與電科芯片舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署儀式。 上汽通用五菱官方消息顯示，雙方將以此次為戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約為契機，基于用戶使用場景，在芯片研發(fā)領(lǐng)域深入開展合作，以全面“2C”為導(dǎo)向，堅持走自主創(chuàng)新的道路，攜手助力芯片國產(chǎn)化，推動“一二五工程”項目成果實現(xiàn)新突破。 上汽通用五...  [詳內(nèi)文]

【會議預(yù)告】芯聚能半導(dǎo)體：車規(guī)級功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 15:54 |
| 分類: 碳化硅SiC
在市場對節(jié)能減排和駕駛舒適性的更高要求下，新能源汽車逐步走向時代舞臺中央，車規(guī)級功率半導(dǎo)體需求隨之逐漸攀升。 SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，具有比硅更優(yōu)越的性能。不僅禁帶寬度較大，還兼具熱導(dǎo)率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射性能強、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)良特性，成為了新能源汽車領(lǐng)...  [詳內(nèi)文]

中電化合物半導(dǎo)體擴產(chǎn)項目預(yù)計9月投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 15:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)寧波前灣新區(qū)發(fā)布消息，中電化合物半導(dǎo)體擴產(chǎn)項目計劃于今年9月完成廠房裝修并投產(chǎn)。 中電化合物成立于2019年，是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司（央企）旗下華大半導(dǎo)體有限公司主導(dǎo)投資的一家致力于開發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的高科技企業(yè)。 公司注冊資本4.7億，主要聚焦在大尺寸、高性...  [詳內(nèi)文]

新能源車SiC-MOSFET發(fā)展分析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 06 月 12 日 15:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
功率半導(dǎo)體包含功率集成電路和功率分離式組件。功率集成電路安裝在驅(qū)動電路板上，以發(fā)送信號控制功率組件/模塊進(jìn)行開關(guān)。 功率組件是一種只用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子組件，分為二極管（整流和保護(hù)電路）、晶體管（負(fù)責(zé)開關(guān)）與閘流體（電路驅(qū)動）。其中晶體管是電能轉(zhuǎn)換損耗的主要來源，因此是功率組...  [詳內(nèi)文]