Author Archives: huang, Mia

碳化硅市場(chǎng)硝煙四起
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 21 日 14:11 | 分類 功率
近期市場(chǎng)最新消息顯示，安森美onsemi將投資高達(dá)20億美元提高其在捷克共和國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)量，以擴(kuò)大該公司在歐洲的產(chǎn)能。近幾年，SiC功率元件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)十分激烈。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大Si...  [詳內(nèi)文]

啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年內(nèi)完成開發(fā)650V GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 20 日 14:48 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒報(bào)道，6月19日，韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認(rèn)650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預(yù)計(jì)年內(nèi)完成開發(fā)。 因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導(dǎo)體，比現(xiàn)有的硅（S...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工大廠漢磊擬進(jìn)軍8英寸化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 19 日 16:25 | 分類 企業(yè)
晶圓代工廠漢磊擬進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體8英寸廠，考量投資成本太高，計(jì)劃與具有現(xiàn)成8英寸廠的企業(yè)，展開策略合作; 半導(dǎo)體業(yè)界傳出，漢磊將與力積電合作，擬采技術(shù)作價(jià)方式，運(yùn)用力積電的8英寸廠生產(chǎn)，雙方資源互補(bǔ)，以達(dá)經(jīng)濟(jì)效益。 漢磊深耕化合物半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）長(zhǎng)達(dá)1...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓：預(yù)估今年碳化硅業(yè)務(wù)增幅將達(dá)50%
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 19 日 16:23 | 分類 企業(yè)
半導(dǎo)體晶圓廠環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭今天表示，今年?duì)I運(yùn)可望逐季成長(zhǎng)，只是汽車、手機(jī)及工業(yè)市場(chǎng)需求疲弱影響，回升幅度較預(yù)期緩和，未能如原先預(yù)期出現(xiàn)「V型反彈」。 環(huán)球晶圓今天召開股東常會(huì)，徐秀蘭會(huì)后受訪說，第1季將是今年?duì)I運(yùn)谷底，業(yè)績(jī)可望逐季成長(zhǎng)，只是第2季攀升幅度可能小于預(yù)期，下半年...  [詳內(nèi)文]

材料廠商旭化成宣布量產(chǎn)4英寸氮化鋁襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 19 日 16:20 | 分類 光電
近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的UVC LED制造商Crystal IS宣布，公司根據(jù)UVC LED的當(dāng)前業(yè)務(wù)需求，將在美國(guó)批量生產(chǎn)4英寸單晶氮化鋁襯底，其可用面積達(dá)到99%。 據(jù)悉，氮化鋁的超寬帶隙和高導(dǎo)熱性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率...  [詳內(nèi)文]

SiCSem擬在印度新建一座SiC工廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 18 日 17:59 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒消息，近日，總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited（下文簡(jiǎn)稱SiCSem）計(jì)劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。 基于這一規(guī)劃，6月15日，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就...  [詳內(nèi)文]

士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 18 日 16:55 | 分類 功率
據(jù)廈門廣電網(wǎng)消息，6月18日上午，士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在海滄區(qū)開工。 source：士蘭微 該項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國(guó)內(nèi)第一條擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最...  [詳內(nèi)文]

17家中國(guó)三代半企業(yè)“征戰(zhàn)”PCIM Europe 2024
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:51 | 分類 展會(huì)
全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)PCIM Europe 2024于6月11日盛大召開，此次參展的中國(guó)企業(yè)（含港澳臺(tái)）數(shù)量達(dá)到了142家，其中不少企業(yè)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域有所布局。在本屆PCIM上，中外多家企業(yè)向世界展示了SiC/GaN在電子電力領(lǐng)域的最新技術(shù)及應(yīng)用。 國(guó)內(nèi)企業(yè) 本屆PCI...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體推出全新RF GaN技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:15 | 分類 企業(yè)
6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。 據(jù)介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，...  [詳內(nèi)文]

立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項(xiàng)目正式開工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 17 日 15:14 | 分類 射頻
據(jù)平湖新埭官微消息，6月12日，立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項(xiàng)目在張江長(zhǎng)三角科技城平湖園正式開工。 source：平湖新埭 據(jù)介紹，立芯科技年產(chǎn)30億件射頻芯片封裝項(xiàng)目位于張江長(zhǎng)三角科技城平湖園，建設(shè)用地約30畝，總投資2億元人民幣，總用地面積20012.9平方米，總建筑面...  [詳內(nèi)文]