根據(jù)藍(lán)馳創(chuàng)投官方消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導(dǎo)體）近日正式完成數(shù)千萬天使輪融資。該輪融資由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，禹泉資本跟投；融資將用于強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。
據(jù)悉，氧化鎵是一種無機(jī)化合物。作為第四代半導(dǎo)體的代表，氧化鎵被視為“替代碳化硅和氮化鎵”的新一代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大（4.8 eV）、臨界擊穿場強(qiáng)高（8MV/cm）、導(dǎo)通特性幾乎是碳化硅的10倍、材料生長成本低于第三代半導(dǎo)體等優(yōu)勢，未來有望在通信、雷達(dá)、航空航天、高鐵動(dòng)車、新能源汽車等領(lǐng)域得到應(yīng)用。
目前，各國半導(dǎo)體企業(yè)正爭先恐后布局氧化鎵。其中，中國已經(jīng)成長為一股不可忽視的力量。
據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，根據(jù)AnA Patent對韓國、中國、美國、歐洲、日本等6個(gè)主要PCT國家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專利分析，截至2021年9月共有1011件專利，其中中國擁有328件，日本擁有專利313件，兩國專利數(shù)量占總數(shù)的50%以上；而2021年9月至2022年11月新增的460件專利中，也大部分來自中國（240件）和日本（87件）。
今年以來，中國在氧化鎵領(lǐng)域也不斷取得突破：
2月，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)，分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管；
同月，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國際最高水平；
3月，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。
此次獲得融資的鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。據(jù)了解，鎵仁半導(dǎo)體開創(chuàng)了非導(dǎo)模法氧化鎵單晶生長新技術(shù)，突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷，可提供具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。（化合物半導(dǎo)體市場 Winter整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。