4月24日，南京晶升裝備股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：晶升股份）鳴鑼上市，成為上交所科創(chuàng)板新兵。
晶升股份發(fā)行價(jià)為32.52元/股，發(fā)行34,591,524股，募資總額為11.25億元；而其原計(jì)劃募資4.76億元，其中，2.73億元用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目，2.02億元用于半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備總裝測(cè)試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目。
這意味著晶升股份超募約6.49億元。
據(jù)悉，晶升股份是一家半導(dǎo)體專用設(shè)備供應(yīng)商，主要從事晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍(lán)寶石單晶爐等定制化的晶體生長(zhǎng)設(shè)備。
其中，在碳化硅領(lǐng)域，晶升股份順應(yīng)下游新能源汽車(chē)、光伏、軌道交通、工控、射頻通信等領(lǐng)域市場(chǎng)的快速發(fā)展，于2018年開(kāi)始投入4-6英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶爐研發(fā)，2019年實(shí)現(xiàn)首臺(tái)產(chǎn)品銷售，產(chǎn)品于2020年開(kāi)始批量化投入下游碳化硅功率器件（導(dǎo)電型襯底）應(yīng)用領(lǐng)域驗(yàn)證及應(yīng)用。
在此基礎(chǔ)上，晶升股份又于2020年完成6英寸半絕緣型碳化硅單晶爐研發(fā)、改進(jìn)、定型；同年，該設(shè)備實(shí)現(xiàn)向天岳先進(jìn)的首臺(tái)供應(yīng)及產(chǎn)品驗(yàn)證。
目前，晶升股份已先后實(shí)現(xiàn)對(duì)三安光電、東尼電子、浙江晶越等下游廠商的產(chǎn)品批量化供應(yīng)，并持續(xù)推進(jìn)與比亞迪等下游十余家碳化硅廠商的批量產(chǎn)品銷售業(yè)務(wù)。
據(jù)悉，晶升股份生產(chǎn)的碳化硅單晶爐主要應(yīng)用于6英寸碳化硅單晶襯底，設(shè)備具有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一體化、高精度控溫控壓、生產(chǎn)工藝可復(fù)制性強(qiáng)、高穩(wěn)定性運(yùn)行等特點(diǎn)，產(chǎn)品類型則包含PVT感應(yīng)加熱/電阻加熱單晶爐、TSSG單晶爐等，下游應(yīng)用完整覆蓋主流導(dǎo)電型/半絕緣型碳化硅晶體生長(zhǎng)及襯底制備。
業(yè)績(jī)方面，2019-2021年、2022年1-6月，晶升股份營(yíng)業(yè)收入分別為2,295.03萬(wàn)元、12,233.17萬(wàn)元、19,492.37萬(wàn)元和6,505.58萬(wàn)元，整體呈快速增長(zhǎng)趨勢(shì)；主營(yíng)業(yè)務(wù)收入主要由半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍(lán)寶石單晶爐構(gòu)成，其中碳化硅單晶爐產(chǎn)品在2021年、2022年1-6月的營(yíng)收占比均超過(guò)60%，發(fā)展勢(shì)頭迅猛。
此外，晶升股份正積極推動(dòng)8英寸碳化硅單晶爐的成熟及推廣應(yīng)用。
一方面，晶升股份在研項(xiàng)目中，“電阻加熱PVT碳化硅單晶爐研發(fā)”主要是對(duì)市場(chǎng)主流需求的6英寸電阻法PVT碳化硅單晶爐進(jìn)行研發(fā)，并從熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)、設(shè)備布局等多方面進(jìn)行優(yōu)化，開(kāi)發(fā)出操作維護(hù)便利、熱場(chǎng)壽命長(zhǎng)、溫度梯度可控、晶體生長(zhǎng)狀態(tài)可監(jiān)測(cè)的6-8英寸的電阻法PVT碳化硅單晶設(shè)備；
“8英寸碳化硅單晶爐開(kāi)發(fā)”的目標(biāo)是完成一款滿足8英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)的電阻法晶體生長(zhǎng)爐的新品開(kāi)發(fā)，并實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中可視化。目前該項(xiàng)目已完成。
另一方面，晶升股份募投項(xiàng)目“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”計(jì)劃涵蓋的主要研發(fā)內(nèi)容包含了“6-8英寸碳化硅單晶爐研發(fā)”，研發(fā)內(nèi)容是推動(dòng)碳化硅單晶爐向6-8英寸拓展，在現(xiàn)有感應(yīng)加熱PVT碳化硅單晶爐的基礎(chǔ)上，深入挖掘各項(xiàng)設(shè)備性能參數(shù)，從設(shè)計(jì)、制造、安裝、調(diào)試、維護(hù)等方面著手，使設(shè)備能夠穩(wěn)定產(chǎn)出適合于MOSFET用的大尺寸碳化硅晶錠。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng) Winter整理）
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