封頂、簽約,SiC產(chǎn)業(yè)鏈3個項目披露新進展

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 04 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)

近日,長飛先進武漢基地項目、嘉盛半導體蘇州封測新基地、摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目同時傳出利好消息。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

長飛先進武漢基地項目預計明年7月投產(chǎn)

近日,據(jù)“湖北新聞”透露,長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂,明年7月投產(chǎn),達產(chǎn)后預計可年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓及外延、年產(chǎn)6100萬個功率器件模塊。

該項目進度方面,2023年8月,長飛先進半導體與武漢東湖高新區(qū)管委會正式簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議。一個月后,長飛先進半導體武漢基地開工。當時消息,該項目總投資預計200億元,一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。一期項目預計2025年建設完成。

值得一提的是,2023年5月,長飛先進半導體明確提出“All?in?SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略,全面發(fā)力SiC賽道。當年7月,長飛先進半導體SiC戰(zhàn)略項目(KO)A樣品達到預期設計目標,標志著長飛先進半導體擁有車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品自主研發(fā)能力。

據(jù)了解,長飛先進擁有完全自主知識產(chǎn)權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺,15mohm產(chǎn)品比導通電阻(Ron,sp)已達3.4mΩ·cm2,躋身國際先進水平。除此之外,長飛先進基于該平臺的主驅SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品良率達80%。

2023年12月,長飛先進首顆自研產(chǎn)品1200V 20A SiC SBD正式進入試產(chǎn)階段,標志著長飛先進已具備SiC產(chǎn)品自主研發(fā)及量產(chǎn)能力。

此外,據(jù)長飛先進SiC產(chǎn)品部總經(jīng)理胡學清此前透露,長飛先進正在籌建SiC功率器件應用實驗室,計劃與安徽省內新能源產(chǎn)業(yè)深化合作,協(xié)同發(fā)展,合力打造SiC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

嘉盛半導體蘇州封測新基地計劃年底竣工

近日,據(jù)“蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布”消息,嘉盛先創(chuàng)科技(蘇州)有限公司(以下簡稱嘉盛先創(chuàng)科技)新建集成電路封裝測試生產(chǎn)項目廠房、辦公樓等于近期完成主體封頂,二次結構施工及外圍護施工等工作正加快推進。

據(jù)悉,該項目占地面積100畝,規(guī)劃廠房面積約14萬平方米,主要專注于SiC、GaN、汽車電子等先進封裝。該基地分兩期投資建設,其中一期于2022年8月開工,計劃于今年年底竣工,2025年初試運營,將成為嘉盛半導體蘇州封測新基地。

資料顯示,嘉盛半導體成立于1972年,總部位于馬來西亞,是一家半導體封裝與測試供應商。嘉盛半導體(蘇州)有限公司成立于2002年3月,量產(chǎn)生產(chǎn)開始于2004年,廠房面積56000平方米。2022年2月,嘉盛先創(chuàng)科技在蘇相合作區(qū)注冊成立,注冊資本8000萬美元。嘉盛半導體(蘇州)有限公司和嘉盛先創(chuàng)科技均由嘉盛控股 (香港) 有限公司全資控股。

摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目簽約

3月27日,浙江省嘉興國家高新區(qū)(高照街道)一季度重大項目集中簽約儀式舉行?;顒蝇F(xiàn)場,2個總投資超50億元的瓷新半導體材料總部項目、摩珂達SiC功率器件及電子產(chǎn)品制造項目完成簽約。

值得一提的是,不久前,嘉興國家高新區(qū)還簽約另一個SiC項目。今年2月消息,嘉興國家高新區(qū)SiC半橋模塊制造項目簽約。該項目由晶能微電子與星驅技術團隊共同出資設立,重點布局車規(guī)SiC半橋模塊。

該項目總投資約10億元,投資建設年產(chǎn)90萬套SiC半橋模塊制造生產(chǎn)線及相關配套,投產(chǎn)后預計實現(xiàn)年產(chǎn)值約12.5億元。

據(jù)晶能微電子CEO潘運濱透露,該項目是在去年晶能微電子投資50.17億元建設晶圓和模塊生產(chǎn)線基礎上,聯(lián)合合作伙伴,針對新的市場需求和產(chǎn)品類型做的新一輪擴產(chǎn)投資。(集邦化合物半導體Zac整理)

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