中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、江豐電子分別成立新公司

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 10 月 10 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)

今年以來(lái),國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)廠(chǎng)商拓荊科技、盛美上海、新潔能、北方華創(chuàng)、揚(yáng)杰科技等相繼成立了多家新公司。而在近期,又有2家碳化硅相關(guān)廠(chǎng)商中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、江豐電子分別成立了新公司。

碳化硅廠(chǎng)商成立新公司

其中,時(shí)代電氣旗下中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體于9月26日全資成立了合肥中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司,該公司法定代表人為羅海輝,注冊(cè)資本3.1億元,經(jīng)營(yíng)范圍含半導(dǎo)體分立器件制造、半導(dǎo)體分立器件銷(xiāo)售等。

目前,時(shí)代電氣碳化硅產(chǎn)品已完成第4代溝槽柵芯片開(kāi)發(fā),碳化硅產(chǎn)線(xiàn)改造完成,新能源車(chē)用碳化硅產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段。

在碳化硅芯片技術(shù)方面,時(shí)代電氣突破了高可靠性低界面缺陷柵氧氮化、低損傷高深寬比溝槽刻蝕、亞微米精細(xì)光刻、高溫離子選區(qū)注入、高溫激活退火等關(guān)鍵工藝技術(shù)。

同時(shí),時(shí)代電氣攻克了有源區(qū)柵氧電場(chǎng)屏蔽、JFET區(qū)摻雜、載流子擴(kuò)展以及高可靠性、高效率空間電場(chǎng)調(diào)制場(chǎng)環(huán)終端設(shè)計(jì)等功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)。

此外,時(shí)代電氣掌握了具有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù),構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的6英寸專(zhuān)業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái),全電壓等級(jí)MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通、光伏、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。

江豐電子則于9月19日全資成立了寧波江豐同創(chuàng)電子材料有限公司,該公司法定代表人為姚力軍,注冊(cè)資本5000萬(wàn)元,經(jīng)營(yíng)范圍含電子專(zhuān)用材料研發(fā);電子專(zhuān)用材料制造;電子專(zhuān)用材料銷(xiāo)售;顯示器件制造;電子元器件制造;電力電子元器件銷(xiāo)售;光伏設(shè)備及元器件制造;光伏設(shè)備及元器件銷(xiāo)售;電子專(zhuān)用設(shè)備銷(xiāo)售;電子專(zhuān)用設(shè)備制造等。

江豐電子主要專(zhuān)注于超高純金屬濺射靶材、半導(dǎo)體精密零部件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,其中,超高純?yōu)R射靶材包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、銅靶以及各種超高純金屬合金靶材等,這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路芯片、平板顯示器的物理氣相沉積(PVD)工藝,用于制備電子薄膜材料。

半導(dǎo)體精密零部件包括金屬、陶瓷、樹(shù)脂等多種材料經(jīng)復(fù)雜工藝加工而成的精密零部件,主要用于半導(dǎo)體芯片以及平板顯示器生產(chǎn)線(xiàn)的機(jī)臺(tái),覆蓋了包括PVD、CVD、刻蝕、離子注入以及產(chǎn)業(yè)機(jī)器人等應(yīng)用領(lǐng)域。

目前,江豐電子已經(jīng)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得一定進(jìn)展,其控股子公司寧波江豐同芯已搭建完成國(guó)內(nèi)首條具備世界先進(jìn)水平、自主化設(shè)計(jì)的化合物半導(dǎo)體功率器件模組核心材料制造生產(chǎn)線(xiàn),掌握了覆銅陶瓷基板DBC及AMB生產(chǎn)工藝,主要產(chǎn)品高端覆銅陶瓷基板已初步獲得市場(chǎng)認(rèn)可。其控股子公司晶豐芯馳正在全面布局碳化硅外延領(lǐng)域,碳化硅外延片產(chǎn)品已經(jīng)得到多家客戶(hù)認(rèn)可。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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