文章分類： 產(chǎn)業(yè)

北京量子院基于單晶碳化硅薄膜刷新了國(guó)際記錄

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 04 日 14:30 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)新華網(wǎng)最新消息，近日，我國(guó)科學(xué)家領(lǐng)銜的一項(xiàng)重要成果突破世界紀(jì)錄——基于高硬度的單晶碳化硅薄膜，研制出的光聲量子存儲(chǔ)器，以4035秒的信息存儲(chǔ)時(shí)長(zhǎng)刷新世界紀(jì)錄。該研究成果已發(fā)表于國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然-通訊》。 據(jù)悉，北京量子信息科學(xué)研究院（以下簡(jiǎn)稱“量子院”）量子計(jì)算云平臺(tái)的李鐵夫...  [詳內(nèi)文]

士蘭微8英寸SiC芯片產(chǎn)線封頂，碳化硅產(chǎn)業(yè)風(fēng)云起

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 04 日 14:23 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
市場(chǎng)最新消息顯示，2月28日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。 據(jù)悉，士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

晶升股份發(fā)布業(yè)績(jī)快報(bào)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 28 日 16:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
2月27日，晶升股份發(fā)布2024年度業(yè)績(jī)快報(bào)，報(bào)告期內(nèi)，公司 2024 年度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入 42,503.88 萬(wàn)元，較上年同期增長(zhǎng) 4.80%；實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn) 5,325.03 萬(wàn)元，較上年同期減少 25.02%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn) 2...  [詳內(nèi)文]

又一功率半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目開(kāi)工！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 14:52 | | 分類: 產(chǎn)業(yè)
據(jù)最內(nèi)江消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)活動(dòng)內(nèi)江分會(huì)場(chǎng)活動(dòng)在晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項(xiàng)目開(kāi)工現(xiàn)場(chǎng)舉行。 電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地項(xiàng)目效果圖；source：“內(nèi)江高新”官微   據(jù)介紹，電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地建設(shè)項(xiàng)目位于內(nèi)江高...  [詳內(nèi)文]

英飛凌官宣，首批8英寸SiC產(chǎn)品問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 14:45 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車和電動(dòng)汽車在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。 這一舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步，有望進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能...  [詳內(nèi)文]

四家公司最新化合物半導(dǎo)體專利曝光

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 23 日 14:59 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè)
新能源、電動(dòng)汽車等推動(dòng)之下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。與此同時(shí)，各家廠商也大力布局專利技術(shù)，用以提升性能、降低成本。近期，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中電化合物半導(dǎo)體、天科合達(dá)、安徽格恩、河北同光半導(dǎo)體四家公司相關(guān)專利曝光。 中電化合物半導(dǎo)體取得一種晶片貫穿型缺陷的檢測(cè)方法及裝置專利...  [詳內(nèi)文]

1400億，印度新增一個(gè)年產(chǎn)60萬(wàn)片碳化硅晶圓項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 15 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
據(jù)外媒消息，印度Indichip Semiconductors Limited近日與日本Yitoa Micro Technology Limited（YMTL）攜手合作，與印度安得拉邦政府簽署了一份諒解備忘錄（MoU），將在庫(kù)爾努爾區(qū)Orvakal工業(yè)園區(qū)建立該國(guó)首家私營(yíng)半導(dǎo)體制...  [詳內(nèi)文]

聚焦氮化鎵功率器件，京東方華燦與晶通半導(dǎo)體達(dá)成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 15 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
隨著全球新能源汽車、光儲(chǔ)充、人形機(jī)器人、AI數(shù)據(jù)中心等新興市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，高性能氮化鎵（GaN）功率器件市場(chǎng)需求呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。在此背景下，為加速氮化鎵功率器件的研發(fā)與量產(chǎn)，京東方華燦和晶通半導(dǎo)體于2025年1月8日簽署了合作備忘錄。 source：京東方華燦光電 京東方華...  [詳內(nèi)文]

中微公司擬投資約30.5億元建設(shè)西南總部

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 15 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
1月14日晚間，中微公司發(fā)布公告稱，擬在成都市高新區(qū)投資設(shè)立全資子公司中微半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司（具體名稱以屆時(shí)市場(chǎng)監(jiān)督管理部門核準(zhǔn)為準(zhǔn)），建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項(xiàng)目。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 公告顯示，投資標(biāo)的中微半導(dǎo)體設(shè)備（成都）有限公司將于2025年2月成立，...  [詳內(nèi)文]

北方華創(chuàng)發(fā)布2024年業(yè)績(jī)預(yù)告

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 14 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
1月13日晚間，北方華創(chuàng)發(fā)布2024年度業(yè)績(jī)預(yù)告。 根據(jù)報(bào)告，北方華創(chuàng)預(yù)計(jì)2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收276-317.8億元，同比增長(zhǎng)25.00%-43.93%；歸母凈利潤(rùn)51.7-59.5億元，同比增長(zhǎng)32.60%-52.60%；歸母扣非凈利潤(rùn)51.2-58.9億元，同比增長(zhǎng)42.96%...  [詳內(nèi)文]