天虹科技突破高階半導體設備自制瓶頸，成功開發(fā)出原子層沉積ALD（Atomic Deposition Layer）設備，成為臺灣地區(qū)第一家“量產”ALD薄膜制程的設備廠商，并獲得晶電的驗證及采用，成為晶電推動LED科技商業(yè)化應用的重要伙伴。
天虹科技成立于2002年，是臺灣地區(qū)關鍵半導體零組件主要供應商，在2017年投入研發(fā)自主技術的半導體主制程關鍵設備，目前已開發(fā)并成功銷售半導體PVD、ALD、Powder ALD、Bonder、Debonder、Laser Lift-off及Skiwar等設備。
天虹科技執(zhí)行長林俊成表示，公司在臺灣地區(qū)“經濟部”的支持下，開發(fā)出一套完整的Mini/Micro LED所使用的ALD薄膜制程方案。其中提供給晶電生產的設備，具有特殊的反應腔體及可調控的先驅物供應設計，制造出的ALD薄膜具有絕佳的鍍膜均勻性與重復性、極佳抵抗突穿電流的效能、高穿透率及低先驅物使用量等性質。
圖片來源：拍信網正版圖庫
對于更先進的Micro LED設備開發(fā)，林俊成表示，Micro LED屏幕，其由更小的紅色、藍色和綠色光之微小像素組成，而制造這些像素的一些制程步驟，容易導致其精細納米級結構的損壞，進而會導致光強度的損失。
目前，天虹科技已開發(fā)出在一種pre-passivation的修補技術，可以有效修復Micro LED在制程中結構被損壞的一些缺點，恢復照明強度甚至將其提高到更高亮度，并有不少LED廠商密切合作中。（來源：工商時報）
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