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AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來(lái)襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

新凱來(lái)、電科裝備、高測(cè)股份大動(dòng)作，瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體等發(fā)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:34 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開(kāi)，半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍，吸引觀眾駐足。值得一提的是，本次展會(huì)上，圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域，包括新凱來(lái)、電科裝備、高測(cè)股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。 1、新凱來(lái)展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！ ...  [詳內(nèi)文]

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:02 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會(huì)社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過(guò)革命性散熱架構(gòu)設(shè)計(jì)，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

三家碳化硅廠商獲得新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:01 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，三家碳化硅相關(guān)公司獲得新一輪融資，分別是優(yōu)睿譜、科瑞爾與芯湛。 其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨(dú)家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備。 碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶(hù)，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯(cuò)及微管檢...  [詳內(nèi)文]

碳化硅和氮化鎵的專(zhuān)利井噴，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)階
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:52 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日，碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域頻傳專(zhuān)利突破喜訊，多家企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)取得關(guān)鍵進(jìn)展，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新動(dòng)力。 這些專(zhuān)利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。 1、材料制備革新 3 月 24 日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)、西湖儀器12英寸碳化硅領(lǐng)域新動(dòng)態(tài)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:47 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
在全球新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、軌道交通等產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)的背景下，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）正成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的新主角。當(dāng)前，12英寸碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)與量產(chǎn)能力，已成為衡量第三代半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的重要標(biāo)尺，吸引多家廠商布局。近期，西湖儀器、天岳先進(jìn)傳出新動(dòng)態(tài)。 1、西湖儀器率先實(shí)現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

涉及碳化硅，總投資3億元的半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目落戶(hù)湖北
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 26 日 13:43 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月24日上午，湖北陽(yáng)新縣人民政府與江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司在江蘇省如皋市隆重舉行項(xiàng)目簽約儀式，總投資3億元的“卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體項(xiàng)目”正式簽約落戶(hù)陽(yáng)新經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將在陽(yáng)新設(shè)立全資子公司，重點(diǎn)布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長(zhǎng)晶設(shè)備、碳化硅...  [詳內(nèi)文]

EV不振、產(chǎn)能過(guò)剩，日美歐功率半導(dǎo)體廠抑制投資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 25 日 13:38 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
近期，外媒報(bào)道，因電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)成長(zhǎng)較預(yù)期放緩，功率半導(dǎo)體產(chǎn)能過(guò)剩，這一背景下，日美歐功率半導(dǎo)體廠抑制投資， 其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動(dòng)率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動(dòng)率降至3成左右。而瑞薩原先計(jì)劃在2025年初期利用甲...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)又一碳化硅廠商“上車(chē)”，清純半導(dǎo)體通過(guò)大眾集團(tuán)POT審核
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 25 日 13:38 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月24日消息，清純半導(dǎo)體繼2024年12月與大眾汽車(chē)（中國(guó)）科技有限公司簽署SiC合作開(kāi)發(fā)框架協(xié)議后，2025年3月19日通過(guò)大眾集團(tuán)POT審核，進(jìn)入大眾集團(tuán)全球供應(yīng)商體系。 清純半導(dǎo)體表示，大眾汽車(chē)深耕中國(guó)市場(chǎng)，始終秉持“In China, For China”的理念，與中國(guó)...  [詳內(nèi)文]

國(guó)內(nèi)兩項(xiàng)碳化硅相關(guān)技術(shù)迎來(lái)新突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 25 日 13:37 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
受益于新能源汽車(chē)等應(yīng)用推動(dòng)，近年我國(guó)碳化硅市場(chǎng)需求持續(xù)上升，國(guó)內(nèi)廠商碳化硅技術(shù)突破捷報(bào)頻傳。近期，又有兩家公司傳出新進(jìn)展：晶馳機(jī)電成功開(kāi)發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)新突破；臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，突破行業(yè)瓶頸。 1、晶馳機(jī)電成功開(kāi)發(fā)...  [詳內(nèi)文]