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聚焦三代半等領(lǐng)域,江蘇首只高??萍汲晒D(zhuǎn)化基金完成注冊

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)江蘇金融湃消息,近日江蘇首只高校科技成果轉(zhuǎn)化基金——南京高??萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金完成工商注冊。這只總規(guī)模5億元的基金,將重點投向第三代半導(dǎo)體、前沿新材料等戰(zhàn)略領(lǐng)域,為高??蒲谐晒D(zhuǎn)化注入”耐心資本”。 據(jù)悉,該基金由江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金、南京市創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

國家隊再投一家化合物半導(dǎo)體大廠

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 8:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息顯示,3月13日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期(以下簡稱“大基金二期”)投資入股了昂坤視覺(北京)科技有限公司。 source:集邦化合物半導(dǎo)體截圖 此前,昂坤視覺還獲得了中微公司、匯川技術(shù)、晶盛機電等知名產(chǎn)業(yè)方,金浦投資、招商致遠(yuǎn)、海望資本、昌發(fā)展、馮源資本、清...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日,聯(lián)合電子2025年供應(yīng)商大會隆重舉行,芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應(yīng)鏈合作伙伴出席此次大會。會上,芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力,憑借高性能碳化硅(SiC)MOSFET等技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng),榮獲“2024年度供應(yīng)商卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”。 作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司,芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟,第三代半導(dǎo)體劃重點

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日,德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議,組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”(Semicon Coalition),旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力,并強化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向,將重點...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新突破

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:28 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度,在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢,吸引業(yè)界關(guān)注。近期,市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài),涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日,納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進展:涉及碳化硅、氮化鎵

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后,香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進展。 近期,明報新聞網(wǎng)報道,香港微電子研發(fā)院(MRDI)正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線,分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn),預(yù)計在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月,香港立法會批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日,CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵(GaN)技術(shù),目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分類 功率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財年的水平增加一倍以上,并將于2025財年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設(shè)備能源效率的重要元件,在電力供應(yīng)和...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體等企業(yè)參加,碳化硅(CVD)領(lǐng)域團體標(biāo)準(zhǔn)啟動會召開

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:53 | 分類 企業(yè)
近日,由中國國際經(jīng)濟技術(shù)合作促進會標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會(以下簡稱“國促會標(biāo)委會”)聯(lián)合通標(biāo)中研標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學(xué)氣相沉積法(CVD)》團體標(biāo)準(zhǔn)啟動會順利召開。 包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍(lán)河科技(紹興)有限公司、深...  [詳內(nèi)文]

三安光電披露:重慶8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)500片/周

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:51 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月12日,三安光電在投資者互動平臺披露,其位于重慶的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已正式投產(chǎn),當(dāng)前周產(chǎn)能達(dá)500片。這一進展標(biāo)志著國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在規(guī)?;a(chǎn)領(lǐng)域邁出重要一步,為新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興市場提供關(guān)鍵材料支撐。 source:三安光電 公開資料顯示,重慶三安8英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]