4月6日，釜山市政府宣布投資400億韓元（折合人民幣約2.14億元），在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項目已獲國家及市級基金資助。
source：拍信網(wǎng)
為構(gòu)建生產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體的生態(tài)系統(tǒng)，釜山市政府還宣布計劃于明年下半年，在釜山機張郡成立功率半導(dǎo)體技術(shù)研究所。
目前，位于釜山機張郡的功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心擁有一座6英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。屆時，功率半導(dǎo)體技術(shù)研究所將接管該設(shè)施，同時安裝和運營新的8英寸生產(chǎn)設(shè)施，支持入駐企業(yè)研發(fā)包括1700V高壓器件在內(nèi)的技術(shù)，并開展盈利業(yè)務(wù)。
此外，功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心的約20家相關(guān)子公司（材料、元件、設(shè)備）公司計劃投資1.1萬億韓元（折合人民幣約58.5億元），用以創(chuàng)建下一代功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick編譯）
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