第三代半導體氮化鎵（GaN）材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場強高等特性，在功率與射頻領域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點的同時兼顧了可低成本、大規(guī)模生產的優(yōu)點，是第三代半導體發(fā)展的重要方向。
據中電材料官微消息，近日，電科材料下屬國盛公司研發(fā)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片完成客戶交付。
資料顯示，國盛公司前身為中電科55所材料研究室外延組，一直致力于高性能半導體外延材料的研發(fā)和生產服務。公司主營硅基、碳化硅基外延片業(yè)務，產品廣泛用于集成電路芯片和半導體分立器件。
2023年11月，國盛公司旗下南京外延材料產業(yè)基地項目正式投產。據悉，該項目一期投資19.3億元，項目達產后，預估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產能力。
圖片source:南京江寧技術開發(fā)區(qū)
2023年12月，國盛公司第一枚碳化硅外延產品誕生。
同月，國盛公司第一枚硅基氮化鎵外延產品正式下線。
中電材料指出，自項目投產以來，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后實現(xiàn)客戶交付，硅基氮化鎵外延材料順利下線，標志著國盛公司產品多元化布局初步完成。如今，國盛公司硅基氮化鎵外延片成功交付顧客，進入產品試樣驗證階段，為其未來發(fā)展奠定了基礎。（集邦化合物半導體Morty整理）
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