文章分類： 功率

智新半導(dǎo)體首批自主碳化硅功率模塊下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:35 |
| 分類: 功率
近日，智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊，該批產(chǎn)品已完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。 據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，去年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。該項(xiàng)目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng)，實(shí)現(xiàn)了從模塊設(shè)計(jì)、封裝測試、電控應(yīng)用到整...  [詳內(nèi)文]

中電化合物完成交付首批8吋SiC外延片產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 02 日 17:34 |
| 分類: 功率
10月31日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司（CECS）宣布成功向客戶交付首批次8吋SiC外延片產(chǎn)品，這標(biāo)志著中電化合物的外延產(chǎn)品邁上新臺(tái)階，可為行業(yè)提供更加先進(jìn)的技術(shù)支持，從而推動(dòng)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展。 據(jù)中電化合物介紹，相比6吋，8吋SiC外延片面積增加78%，能夠較大幅度降低碳化硅...  [詳內(nèi)文]

Power Integrations推出史上最高電壓GaN開關(guān)IC

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 11 月 01 日 18:11 |
| 分類: 功率
Power Integrations（PI）?近日發(fā)布了據(jù)稱是世界上最高電壓的單開關(guān)GaN電源 IC，采用1250V PowiGaN開關(guān)。 InnoSwitc3-EP 1250V IC是PI的InnoSwitch恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。據(jù)悉，它具有同...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體推出新型GaAs pHEMT工藝平臺(tái)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:40 |
| 分類: 功率
上海新微半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“新微半導(dǎo)體”）于昨日（10/26）宣布基于6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的增強(qiáng)/耗盡型（Enhancement/Depletion Mode）pHEMT工藝平臺(tái)(簡稱“PTA25工藝平臺(tái)”)開發(fā)完成。 該平臺(tái)憑借高電子遷移率、高增益、高功率和超低...  [詳內(nèi)文]

基本半導(dǎo)體推出新SiC MOSFET產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 30 日 17:36 |
| 分類: 功率
在10月26-27日舉辦的2023基本創(chuàng)新日活動(dòng)上，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布了第二代碳化硅MOSFET芯片、汽車級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊、功率器件門極驅(qū)動(dòng)器及驅(qū)動(dòng)芯片等系列新品。 據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品...  [詳內(nèi)文]

東尼電子8英寸SiC襯底獲小批量訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:33 |
| 分類: 功率
東尼電子于昨日（10/26）在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司8英寸SiC襯底處于研發(fā)驗(yàn)證階段，已有小批量訂單，將持續(xù)推進(jìn)驗(yàn)證量產(chǎn)進(jìn)程。 今年1月，東尼半導(dǎo)體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購合同》。按照該協(xié)議，今年東尼半導(dǎo)體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片...  [詳內(nèi)文]

8英寸時(shí)代：國產(chǎn)SiC襯底如何升級(jí)？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 27 日 17:30 |
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當(dāng)下，新能源汽車、5G通訊、光伏、儲(chǔ)能等下游領(lǐng)域迸射出的強(qiáng)烈需求，正驅(qū)動(dòng)著碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)在高速發(fā)展，與此同時(shí)多方紛紛加強(qiáng)研發(fā)力度，旨在突破技術(shù)壁壘，搶占市場先機(jī)。 其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點(diǎn)，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。 下一個(gè)拐點(diǎn)尺寸：8英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

聯(lián)合上汽/小鵬/寧王等，中芯集成成立SiC公司

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 26 日 17:34 |
| 分類: 功率
今年8月31日，中芯國際關(guān)聯(lián)公司——中芯集成宣布，擬與碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈上下游重要參與者、關(guān)聯(lián)方共同設(shè)立控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（“芯聯(lián)動(dòng)力”），以優(yōu)化公司在SiC等化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。 10月25日晚間，中芯集成宣布芯聯(lián)動(dòng)力正式成立，注冊資本5億元，其中，...  [詳內(nèi)文]

投資10億，正齊半導(dǎo)體SiC功率模塊項(xiàng)目落戶杭州

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 25 日 13:52 | | 分類: 功率
10月19日，正齊半導(dǎo)體年產(chǎn)6萬顆高階功率模塊研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目在杭州開發(fā)區(qū)舉行簽約儀式。 正齊半導(dǎo)體（杭州）有限公司（下文簡稱“正齊半導(dǎo)體”）是馬來西亞上市公司正齊集團(tuán)在中國的子公司，主要從事功率模塊、功率器件的研發(fā)和銷售。 據(jù)悉，正齊半導(dǎo)體杭州項(xiàng)目將在開發(fā)區(qū)投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體模塊...  [詳內(nèi)文]

安森美的新SiC工廠完工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 10 月 24 日 17:08 |
| 分類: 功率
10月24日，安森美（onsemi）宣布，其位于韓國富川的先進(jìn)SiC 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片 200 mm SiC晶圓。 新的 150 mm/200 mm SiC 先進(jìn)生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑于 2022 年中期開始建設(shè)...  [詳內(nèi)文]