文章分類： 功率

新潔能推出的SiC MOSFET產(chǎn)品通過驗(yàn)證并可小規(guī)模量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日，無錫新潔能股份有限公司（下文簡稱“新潔能”）在互動平臺表示目前已開發(fā)完成1200V 23mohm~62mohm SiC MOSFET系列產(chǎn)品，新開發(fā)650V SiC MOSFET工藝平臺，用于新能源汽車OBC、光伏儲能、工業(yè)及自動化等行業(yè)，相關(guān)產(chǎn)品已通過客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)小規(guī)...  [詳內(nèi)文]

最高5000萬元資助，深圳大力發(fā)展半導(dǎo)體等領(lǐng)域關(guān)鍵材料

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 15 日 10:32 |
| 分類: 功率
9月13日，深圳市工業(yè)和信息化局、深圳市發(fā)展和改革委員會、深圳市科技創(chuàng)新委員會，三部門聯(lián)合印發(fā)《深圳市關(guān)于推動新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（以下簡稱“《若干措施》”），推動新材料產(chǎn)業(yè)集群高質(zhì)量發(fā)展。本措施自2023年9月13日起實(shí)施，有效期5年。 source：深圳市工...  [詳內(nèi)文]

三菱電機(jī)將交付用于5G 基站的GaN功率放大模塊樣品

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 17:45 |
| 分類: 功率
9月13日，三菱機(jī)電股份有限公司（下文簡稱“三菱電機(jī)”）宣布，9月21日起，用于5G大規(guī)模MIMO（mMIMO）基站的新型GaN功率放大模塊樣品將大量出貨。該GaN功率放大模塊在 400 MHz 的寬頻率范圍內(nèi)可以提高至少 43% 的功率附加效率，能有效降低5G mMIMO基站的...  [詳內(nèi)文]

河北出臺新政，支持第三代半導(dǎo)體等細(xì)分行業(yè)發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 14 日 9:52 |
| 分類: 功率
近日，河北省人民政府辦公廳印發(fā)《關(guān)于支持第三代半導(dǎo)體等5個細(xì)分行業(yè)發(fā)展若干措施》（以下簡稱《若干措施》），提出加快第三代半導(dǎo)體、新型顯示等細(xì)分行業(yè)發(fā)展。以下是該政策的部分內(nèi)容： 第三代半導(dǎo)體 支持設(shè)計(jì)研發(fā)驗(yàn)證。對擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)，其研發(fā)設(shè)計(jì)的新產(chǎn)品通過用戶...  [詳內(nèi)文]

SiC乘著光伏的東風(fēng)狂飆！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 17:48 |
| 分類: 功率
在新能源產(chǎn)業(yè)井噴的大背景下，SiC也跟著炙手可熱，SiC上車已經(jīng)不是趨勢而是事實(shí)，而在光伏領(lǐng)域，SiC也在加快前進(jìn)步伐。 光伏發(fā)電并網(wǎng)的過程中，為了實(shí)現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定、高效運(yùn)行，對逆變器的要求會變得更嚴(yán)格，傳統(tǒng)硅基器件由于材料固有特性限制了其在高溫、高壓、高效率場景的應(yīng)用，而Si...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，助力沃爾沃汽車！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 13 日 11:40 |
| 分類: 功率
9月7日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺。 為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，...  [詳內(nèi)文]

納微計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)SiC/GaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 17:30 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報(bào)道，納微半導(dǎo)體正計(jì)劃在歐洲和美國擴(kuò)大其氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力，以減少對臺廠的依賴。 據(jù)悉，納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺積電代工，其中，SiC器件在X-Fab的美國德州（Lubbock, Texas）工廠生產(chǎn)，GaN在臺積電的...  [詳內(nèi)文]

三安半導(dǎo)體8英寸SiC首發(fā)，即將獲得訂單？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 11 日 9:45 |
| 分類: 功率
2023年9月6日，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表...  [詳內(nèi)文]

簽約、投產(chǎn)、成果發(fā)布，南京三代半產(chǎn)業(yè)迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:30 |
| 分類: 功率
9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團(tuán)有限公司指導(dǎo)、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在江寧開發(fā)區(qū)舉行。 會上，多個超百億元產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果，同時(shí)宣布一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。 此次集中簽約的項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

日本開發(fā)這項(xiàng)新技術(shù)，可將SiC晶圓制造成本降低30%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 09 月 08 日 16:26 |
| 分類: 功率
由于SiC硬度大和易脆裂等特性，晶錠切割成為制約SiC器件制造核心瓶頸。近期，日本Dry Chemicals開發(fā)了一種新的工藝，能夠?qū)iC晶圓的制造成本降低20~30%。 該技術(shù)的核心是在晶錠上進(jìn)行開槽，這樣可以使得晶圓切片的時(shí)候更加平整，從而減少晶圓表面的研磨、拋光等后處理所...  [詳內(nèi)文]