6月5日,理想汽車官方公眾號發(fā)文表示,近期理想汽車在第37屆ISPSD(功率半導體器件和集成電路國際會議)上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關的論文。
該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團隊,論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術研究》,展示了碳化...  [詳內文]
瞄準車規(guī)級碳化硅,理想發(fā)表重要成果 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 06 月 06 日 13:53
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關鍵字:
SiC碳化硅
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