6月27日,半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)宣布,計劃投資2億美元(約合人民幣14.5億元)開發(fā)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等下一代寬帶隙半導(dǎo)體(WBG),并在德國漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
同時,硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)...  [詳內(nèi)文]
14.5億!安世半導(dǎo)體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分類 企業(yè) |