天眼查資料顯示,1月12日,宏微科技公開(kāi)一項(xiàng)“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利,申請(qǐng)公布號(hào)為CN117393605A,申請(qǐng)日期為2023年11月7日。
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該專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法,其中所述SiC功率...  [詳內(nèi)文]
宏微科技公開(kāi)SiC功率MOSFET器件專利 |
作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分類 企業(yè) |