相關(guān)資訊：氧化鎵

日本團隊不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導(dǎo)通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應(yīng)用中具有優(yōu)勢，且導(dǎo)通電阻更低，損耗更小。 目前，中國、日本、韓國等國的研究機構(gòu)和團隊在氧化鎵材料的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方...  [詳內(nèi)文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日，韓國化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應(yīng)用于高速開關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報導(dǎo)的最大尺寸。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵，鎵仁半導(dǎo)體與邁姆思達成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體）近日與蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域展開深度合作。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導(dǎo)體協(xié)作實現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實現(xiàn)新突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè)
據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”）在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

超越碳化硅？三菱電機投資氧化鎵功率半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 01 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。 三菱電機表示，2024年~2030年，...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首個6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)氧化鎵公司晶旭半導(dǎo)體獲億元投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分類 企業(yè)
2月3日， 睿悅投資官微發(fā)文稱，睿悅投資與福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱“晶旭半導(dǎo)體”）簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議。 據(jù)悉，此次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產(chǎn)。 公開資料顯示，福...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體材料龍頭NCT又有新突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 17:41 | 分類 企業(yè)
近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。 據(jù)了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產(chǎn)新一代半導(dǎo)體技術(shù)的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資...  [詳內(nèi)文]