Tag Archives: 致能科技

首個1700V GaN HEMT器件發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 24 日 17:17 | 分類 功率
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現(xiàn)了1700V GaN HEMTs...  [詳內(nèi)文]

致能科技首發(fā)1200V D-Mode氮化鎵器件平臺
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 09 日 17:35 | 分類 企業(yè)
11月8日，廣東致能科技有限公司首發(fā)1200V 耗盡型（D-Mode）高可靠性氮化鎵（GaN）器件平臺。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領域。 資料顯示，致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等...  [詳內(nèi)文]