相關(guān)資訊：芯粵能

芯粵能半導體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，...  [詳內(nèi)文]

芯粵能完成約十億元A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 26 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月25日，據(jù)廣東芯粵能半導體有限公司（以下簡稱：芯粵能）官微消息，芯粵能近日完成約十億元人民幣A輪融資。本輪融資由粵財基金管理的廣東省集成電路基金二期與國投創(chuàng)業(yè)基金聯(lián)合領(lǐng)投，社保灣區(qū)科創(chuàng)基金、深創(chuàng)投、廣州產(chǎn)投、科金控股集團、大眾聚鼎、博原資本、復(fù)樸投資與曦晨資本聯(lián)合參與。 s...  [詳內(nèi)文]

合計91.8億，2個第三代半導體項目披露新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，合計投資91.8億元的芯粵能和晶旭半導體兩個第三代半導體項目同時披露了最新進展。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產(chǎn)能爬坡 在這兩個項目當中，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資...  [詳內(nèi)文]