Tag Archives: 英諾賽科

損耗降低50%，英諾賽科發(fā)布全鏈路InnoGaN數(shù)據(jù)中心方案
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 08 日 17:45 | 分類 企業(yè)
10月8日，英諾賽科官方公眾號(hào)發(fā)文表稱，數(shù)據(jù)中心采用全鏈路GaN設(shè)計(jì)方案，能夠提高能源轉(zhuǎn)換效率，將系統(tǒng)損耗降低50%。 據(jù)悉，英諾賽科從前端PSU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片的直接供電方面，都提供了GaN方案。 前端PSU電源方面，英諾賽科推出 2kW PSU參考設(shè)計(jì)，采用...  [詳內(nèi)文]

功率GaN漸入佳境，《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》全新發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 16 日 17:38 | 分類 數(shù)據(jù)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。 Source：TrendForce集邦咨詢 GaN功率元件市場(chǎng)的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科：GaN出貨量突破3億顆，上半年銷售額增長(zhǎng)500%！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 16 日 17:32 | 分類 氮化鎵GaN
今日，英諾賽科官方宣布，截至8月，8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆，目前，InnoGaN產(chǎn)品已在消費(fèi)類（快充、手機(jī)、LED），汽車激光雷達(dá)，數(shù)據(jù)中心，新能源與儲(chǔ)能領(lǐng)域的多個(gè)應(yīng)用中大批量交付，幫助客戶實(shí)現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。 出貨量漲勢(shì)強(qiáng)勁，上半年銷售額增...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科100V GaN再添新品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 09 日 17:40 | 分類 功率
英諾賽科宣布推出兩款 100V 新品氮化鎵功率器件，旨在提高電源功率轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)損耗與成本。產(chǎn)品可應(yīng)用于太陽能光伏逆變、光伏優(yōu)化器、高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。 英諾賽科 此前，英諾賽科已相繼發(fā)布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W...  [詳內(nèi)文]

直擊2023亞洲充電展：英諾賽科、納微等17家三代半龍頭聚集
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 04 日 15:57 | 分類 展會(huì)
3月14日，為期三天的2023（春季）亞洲充電展在深圳正式開幕。現(xiàn)場(chǎng)展示和發(fā)布了數(shù)千款新品，覆蓋電源芯片、功率器件、被動(dòng)器件、新能源產(chǎn)品、消費(fèi)類電源、智能化設(shè)備等領(lǐng)域。 據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解到，此次展會(huì)，英諾賽科、基本半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體、芯塔電子、P...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科與思銳智能簽訂ALD設(shè)備采購(gòu)協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 26 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
今日，思銳智能官微發(fā)布消息，英諾賽科與公司簽訂了一項(xiàng)新的ALD設(shè)備的采購(gòu)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，思銳智能將為英諾賽科供應(yīng)用于GaN晶圓制造前道工藝的Transform系列量產(chǎn)型ALD沉積鍍膜設(shè)備，支持其8英寸硅基GaN晶圓產(chǎn)線的擴(kuò)充。 01、英諾賽科深化GaN布局 英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科再推兩款GaN器件，在工業(yè)市場(chǎng)挖掘新藍(lán)海
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 20 日 17:45 | 分類 氮化鎵GaN
近期，為了推進(jìn)GaN在高頻市場(chǎng)的應(yīng)用，英諾賽科基于150V電壓平臺(tái)推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 兩款中低壓 GaN。 其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封裝，體積小巧，且開關(guān)損耗低，具有良好的效率表現(xiàn)，目前已成功量...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科進(jìn)軍高壓高功率市場(chǎng)，最新成果發(fā)布！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 11 日 17:29 | 分類 氮化鎵GaN
近日，海內(nèi)外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術(shù)。據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)不完全統(tǒng)計(jì)，安森美、英飛凌、安世半導(dǎo)體、英諾賽科、納微半導(dǎo)體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果，性能升級(jí)，應(yīng)用范圍也進(jìn)一步拓寬。其中，英諾賽科便發(fā)布了聯(lián)合研究成果，為進(jìn)軍高...  [詳內(nèi)文]

三安、英諾賽科、納微等云集，PCIM 2023亮點(diǎn)搶先看！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 11 日 16:11 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月9日，聚焦電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源及能源管理的2023德國(guó)紐倫堡電力電子展PCIM Europe開幕（5/9-11），海內(nèi)外SiC/GaN第三代半導(dǎo)體廠商匯聚一堂，以最新的技術(shù)和產(chǎn)品，向市場(chǎng)展示了SiC、GaN在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏儲(chǔ)能、通信基站、工業(yè)自動(dòng)化等高壓高...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科發(fā)布兩款40V VGaN新品，均采用WLCSP封裝
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 23 日 17:05 | 分類 氮化鎵GaN
在消費(fèi)類電子領(lǐng)域，氮化鎵于手機(jī)、筆電快充中的應(yīng)用已大量普及，大大滿足了消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)設(shè)備快速續(xù)航的需求。而在手機(jī)內(nèi)部，電源開關(guān)依然采用傳統(tǒng)的硅MOSFET，其體積與阻抗的限制，不僅占據(jù)了手機(jī)主板的大量空間，且在面對(duì)大功率快充時(shí)，硅MOSFET會(huì)產(chǎn)生較大的溫升與效率損耗，影響快充的穩(wěn)...  [詳內(nèi)文]