相關(guān)資訊：碳化硅

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

注冊(cè)資本20億，度亙核芯上海成立新公司！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:45 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“度亙核芯”）在上海成立新公司——度亙核芯光電技術(shù)（上海）有限公司，注冊(cè)資本高達(dá)20億元人民幣。 據(jù)悉，新公司專注光通信設(shè)備制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、光電子器件制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺(tái)：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號(hào)技術(shù)等...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長(zhǎng)三角國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時(shí)間的技術(shù)研發(fā)和測(cè)試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)。 該平臺(tái)采用芯粵能自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時(shí)，...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應(yīng)商大會(huì)隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應(yīng)鏈合作伙伴出席此次大會(huì)。會(huì)上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng)，榮獲“2024年度供應(yīng)商卓越技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”。 作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國(guó)聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國(guó)、荷蘭、法國(guó)、比利時(shí)、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個(gè)國(guó)家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強(qiáng)化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競(jìng)爭(zhēng)力三大核心方向，將重點(diǎn)...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進(jìn)展：涉及碳化硅、氮化鎵
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后，香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進(jìn)展。 近期，明報(bào)新聞網(wǎng)報(bào)道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月，香港立法會(huì)批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體等企業(yè)參加，碳化硅（CVD）領(lǐng)域團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)召開
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:53 | 分類 企業(yè)
近日，由中國(guó)國(guó)際經(jīng)濟(jì)技術(shù)合作促進(jìn)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)促會(huì)標(biāo)委會(huì)”）聯(lián)合通標(biāo)中研標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學(xué)氣相沉積法（CVD）》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動(dòng)會(huì)順利召開。 包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京百識(shí)電子科技有限公司、藍(lán)河科技（紹興）有限公司、深...  [詳內(nèi)文]

三安光電披露：重慶8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)500片/周
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:51 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月12日，三安光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)披露，其位于重慶的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)，當(dāng)前周產(chǎn)能達(dá)500片。這一進(jìn)展標(biāo)志著國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在規(guī)模化生產(chǎn)領(lǐng)域邁出重要一步，為新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興市場(chǎng)提供關(guān)鍵材料支撐。 source：三安光電 公開資料顯示，重慶三安8英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]