2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能MPPT提供更高的功率密度。
EPC稱，這是市場(chǎng)上導(dǎo)通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度... [詳內(nèi)文]
EPC宣布推出首款具有1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分類 功率 |