江蘇、浙江、湖北發(fā)布化合物半導體利好政策

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 01 月 12 日 17:28 | 分類 碳化硅SiC

近日,各地先后發(fā)布利好,重金砸向集成電路產(chǎn)業(yè),涉及化合物半導體領(lǐng)域。

1、湖北發(fā)布發(fā)展光電子信息產(chǎn)業(yè)三年行動方案

近日,《湖北省突破性發(fā)展光電子信息產(chǎn)業(yè)三年行動方案(2022―2024年)》(以下簡稱《行動方案》)發(fā)布,提出到2024年,湖北省以光電子信息為特色的電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模力爭突破萬億元。

《行動方案》明確要重點突破五大領(lǐng)域,包括集成電路、光通信、激光、新型顯示、智能終端。

在集成電路領(lǐng)域,依托武漢新芯、高德紅外、光迅科技等龍頭企業(yè),以及江城實驗室等創(chuàng)新平臺,打造特色集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

在光通信領(lǐng)域,依托中國信科、長飛、華工科技、華為武研所等龍頭企業(yè),以及國家信息光電子創(chuàng)新中心、武漢光電國家研究中心、光谷實驗室等創(chuàng)新平臺,進一步鞏固湖北光通信產(chǎn)業(yè)全國領(lǐng)先地位,打造世界一流的光通信產(chǎn)業(yè)高地。

在激光領(lǐng)域,依托華工激光、銳科激光、帝爾激光等龍頭企業(yè),建設(shè)國內(nèi)領(lǐng)先、具備全球競爭力的激光產(chǎn)業(yè)基地。

在新型顯示領(lǐng)域,依托京東方、華星光電、天馬微電子、三安光電等龍頭企業(yè),打造全國頂尖的新型顯示產(chǎn)業(yè)集群。

在智能終端領(lǐng)域,依托聯(lián)想、鴻富錦、??低?、聞泰科技等龍頭企業(yè),壯大產(chǎn)業(yè)規(guī)模,打造全國重要的智能終端生產(chǎn)基地。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

2、江蘇擬重金砸向集成電路產(chǎn)業(yè)

近日,江蘇省工業(yè)和信息化廳發(fā)布《關(guān)于進一步促進集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策(征求意見稿)》(以下簡稱“《征求意見稿》”),以進一步推動江蘇省集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

其中,在企業(yè)資金支持上,《征求意見稿》指出,要鼓勵支持集成電路骨干企業(yè)、科研院所、高等院校及其聯(lián)合體創(chuàng)建研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)新平臺。

對新獲批的全國重點實驗室,省科技計劃專項資金連續(xù)5年每年給予不低于500萬元資金支持;對新獲批的國家級技術(shù)創(chuàng)新中心,省科技計劃專項資金給予不超過3000萬元資金支持。

對新獲批的國家級制造業(yè)創(chuàng)新中心,省、市、縣(市、區(qū))給予聯(lián)動支持,省工業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級專項資金給予不低于3000萬元資金支持。省級相關(guān)專項資金對符合條件的國家級、省級各類集成電路創(chuàng)新平臺能力建設(shè)項目擇優(yōu)支持。

圍繞高端芯片設(shè)計、先進工藝及特色工藝、先進封裝測試以及化合物半導體等重點領(lǐng)域,建設(shè)若干集成電路公共服務(wù)平臺和國產(chǎn)EDA云服務(wù)平臺,優(yōu)先采用自主可控EDA工具、IP核、測試驗證設(shè)備構(gòu)建國產(chǎn)EDA服務(wù)和測試驗證環(huán)境,為集成電路企業(yè)提供共性關(guān)鍵技術(shù)支持和專業(yè)化服務(wù),省級相關(guān)專項資金每年擇優(yōu)給予支持。鼓勵有條件的設(shè)區(qū)市對集成電路公共服務(wù)平臺給予支持。

發(fā)揮行業(yè)協(xié)會和標準化機構(gòu)作用,支持行業(yè)龍頭企業(yè)、重點院校、科研機構(gòu)主導和參與集成電路產(chǎn)業(yè)標準制(修)訂,按照有關(guān)規(guī)定給予獎勵。對獲得中國質(zhì)量獎、中國質(zhì)量獎提名獎和江蘇省省長質(zhì)量獎的單位,分別給予300萬元、200萬元、100萬元獎勵。

培育招引產(chǎn)業(yè)鏈引航企業(yè),加強跟蹤服務(wù)和發(fā)展保障,在項目用地、稅收優(yōu)惠、環(huán)境容量、能耗指標、人才引進等方面給予支持,對首次入圍中國企業(yè)500強的集成電路企業(yè)給予100萬元獎勵。支持集成電路企業(yè)提升主導產(chǎn)品在細分領(lǐng)域的競爭力,培育一批制造業(yè)單項冠軍、專精特新企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)。鼓勵和支持集成電路企業(yè)加強資源整合,對企業(yè)按照市場化原則進行的并購重組,符合條件的按不超過并購企業(yè)對目標企業(yè)實際出資額(支付現(xiàn)金部分)的5%給予補助,最高不超過2000萬元。

培育高端通用芯片和專用芯片設(shè)計龍頭企業(yè),對年銷售收入首次突破50億元的集成電路設(shè)計企業(yè),給予500萬元一次性獎勵。鼓勵支持省內(nèi)化工園區(qū)設(shè)立集成電路用電子化學品專業(yè)園區(qū),優(yōu)化電子化學品和半導體材料類項目審批流程,增強集成電路材料供給能力。

3、浙江發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)鏈標準體系建設(shè)指南

2022年12月30日,浙江省經(jīng)濟和信息化廳、浙江省市場監(jiān)督管理局印發(fā)《浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)鏈標準體系建設(shè)指南(2022年版)》(以下簡稱《建設(shè)指南》),提出建立和完善具有浙江特色的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈標準體系。

產(chǎn)品標準建設(shè)重點

該領(lǐng)域未來三年重點研制標準方向為存儲器芯片、微控制器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片和專用集成電路芯片領(lǐng)域。力爭主導制訂國家標準和行業(yè)標準,并參與現(xiàn)有國家標準、國際標準的修訂。

具體包括:針對浙江省在嵌入式處理器和存儲器控制芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢地位,制定基于RISC V架構(gòu)的處理器產(chǎn)品標準及3D NAND存儲控制芯片相關(guān)的行業(yè)標準,并力爭主導國家標準。利用浙江省在微波毫米波射頻集成電路領(lǐng)域的優(yōu)勢,加強專用集成電路芯片標準的研制。發(fā)揮浙江省在IDM模式集成電路制造領(lǐng)域的優(yōu)勢,力爭主導數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片標準的修訂,制定BCD工藝電源管理芯片產(chǎn)品標準。

芯片設(shè)計標準建設(shè)重點

該領(lǐng)域未來三年重點研制標準方向為特定應(yīng)用集成電路芯片的IP核設(shè)計標準、設(shè)計工具標準。力爭主導制訂國家標準和行業(yè)標準。

具體包括:依托浙江省集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢,開展集成電路設(shè)計EDA工具相關(guān)標準的制定與推廣,制定集成電路器件SPICE模型提取軟件標準,制定集成電路制造PDK格式轉(zhuǎn)換軟件標準,力爭主導制定國家標準;開展IDM模式下集成電路IP核標準的制定,在微波毫米波射頻集成電路、模擬芯片與功率器件、AI芯片、芯粒(Chiplet)等我省優(yōu)勢細分領(lǐng)域,制定行業(yè)標準,力爭主導國家標準的制定。

芯片制造標準建設(shè)重點

該領(lǐng)域未來三年重點研制標準方向為材料、硅片制造裝備、生產(chǎn)控制和晶圓檢測相關(guān)標準的修訂與制定。力爭制定行業(yè)標準并主導國家標準的制定。

具體包括:

1.針對氧化鎵等新興化合物半導體晶圓標準缺失的問題,依托浙江省寬禁帶功率半導體材料與器件重點實驗室,制定氧化鎵晶圓領(lǐng)域的行業(yè)標準,并力爭主導國家標準的制定;

2.發(fā)揮浙江省硅晶圓制造及相關(guān)裝備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,制定或修訂當前的硅片制造設(shè)備標準,力爭主導國家標準的制定或修訂;

3.依托浙江省CMOS集成電路成套工藝與設(shè)計技術(shù)創(chuàng)新中心,制定特種工藝芯片制造的生產(chǎn)控制相關(guān)標準,形成行業(yè)標準并力爭主導國家標準的制定;

4.在圖像傳感器及其他傳感器芯片、AI芯片和汽車電子芯片等領(lǐng)域制定團體標準,并力爭主導行業(yè)標準的制定。(文:集邦化合物半導體 Arely整理)

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