利普思半導(dǎo)體與上海交大成立“SiC模塊應(yīng)用聯(lián)合實驗室”
11月30日，上海交通大學(xué)（電子信息與電氣工程學(xué)院電氣工程系）與無錫利普思半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“利普思半導(dǎo)體”）合作簽約儀式在上海交通大學(xué)舉行，雙方合作聚焦聯(lián)手打造“SiC模塊應(yīng)用聯(lián)合實驗室”。
據(jù)悉，上海交通大學(xué)是利普思半導(dǎo)體CEO梁小廣的母校，此次合作，旨在進(jìn)行更深度的研究和產(chǎn)業(yè)化合作，鏈接上游（功率器半導(dǎo)體）和下游（電力電子設(shè)備），從市場需求和應(yīng)用要求出發(fā)，共同研發(fā)具備技術(shù)領(lǐng)先、緊貼市場、滿足需求、解決痛點的新產(chǎn)品及新技術(shù)。
無錫利普思半導(dǎo)體專注于高性能高可靠性SiC模塊的設(shè)計、生產(chǎn)與銷售，目前在無錫和日本均設(shè)有研發(fā)中心。此外，公司擁有無錫和日本兩大生產(chǎn)基地，模塊產(chǎn)能充足，并建有先進(jìn)的可靠性實驗室、FA實驗室、應(yīng)用測試實驗室，并通過了汽車IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證。目前全系列SiC模塊產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、氫能、光伏、儲能、充電樁及工業(yè)領(lǐng)域。
連科半導(dǎo)體與清華大學(xué)就大尺寸SiC電阻爐及外延爐項目展開合作
近日，清華大學(xué)鄭麗麗教授出席了在連科半導(dǎo)體舉行的簽約儀式，該儀式涉及大尺寸碳化硅（SiC）電阻爐及外延爐項目的合作。
據(jù)介紹，鄭麗麗教授將擔(dān)任SiC電阻爐和外延爐項目的負(fù)責(zé)人，張輝教授將作為項目參與人，兩位教授在熱科學(xué)領(lǐng)域具有深厚的學(xué)術(shù)背景和豐富的實踐經(jīng)驗。他們在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著卓越的表現(xiàn)，專注于材料制備中的熱科學(xué)應(yīng)用和技術(shù)研究。兩位教授開展的晶體生長系統(tǒng)熱場設(shè)計和優(yōu)化的研究已在高端裝備制造領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用和認(rèn)可。
據(jù)了解，連科半導(dǎo)體作為連城數(shù)控的子公司，注冊資金達(dá)1億元，專注于Si及SiC領(lǐng)域裝備的研發(fā)和制造。連科半導(dǎo)體在今年6月設(shè)立后，連城數(shù)控根據(jù)相關(guān)業(yè)務(wù)的具體規(guī)劃及進(jìn)展情況，將已有的半導(dǎo)體相關(guān)全部或部分的資產(chǎn)、業(yè)務(wù)、人員等逐步轉(zhuǎn)移至連科半導(dǎo)體。
今年6月底在上海舉辦的“中國國際半導(dǎo)體設(shè)備、材料、制造和服務(wù)展覽會（SEMICON China）”上，連科半導(dǎo)體攜帶SiC感應(yīng)生長爐、合成爐，電阻爐等設(shè)備參展，獲得了多個意向訂單。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）
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