利普思半導體與上海交大成立“SiC模塊應用聯(lián)合實驗室”
11月30日，上海交通大學（電子信息與電氣工程學院電氣工程系）與無錫利普思半導體有限公司（下文簡稱“利普思半導體”）合作簽約儀式在上海交通大學舉行，雙方合作聚焦聯(lián)手打造“SiC模塊應用聯(lián)合實驗室”。
據(jù)悉，上海交通大學是利普思半導體CEO梁小廣的母校，此次合作，旨在進行更深度的研究和產(chǎn)業(yè)化合作，鏈接上游（功率器半導體）和下游（電力電子設備），從市場需求和應用要求出發(fā)，共同研發(fā)具備技術領先、緊貼市場、滿足需求、解決痛點的新產(chǎn)品及新技術。
無錫利普思半導體專注于高性能高可靠性SiC模塊的設計、生產(chǎn)與銷售，目前在無錫和日本均設有研發(fā)中心。此外，公司擁有無錫和日本兩大生產(chǎn)基地，模塊產(chǎn)能充足，并建有先進的可靠性實驗室、FA實驗室、應用測試實驗室，并通過了汽車IATF16949質(zhì)量體系認證。目前全系列SiC模塊產(chǎn)品已廣泛應用于新能源汽車、氫能、光伏、儲能、充電樁及工業(yè)領域。
連科半導體與清華大學就大尺寸SiC電阻爐及外延爐項目展開合作
近日，清華大學鄭麗麗教授出席了在連科半導體舉行的簽約儀式，該儀式涉及大尺寸碳化硅（SiC）電阻爐及外延爐項目的合作。
據(jù)介紹，鄭麗麗教授將擔任SiC電阻爐和外延爐項目的負責人，張輝教授將作為項目參與人，兩位教授在熱科學領域具有深厚的學術背景和豐富的實踐經(jīng)驗。他們在半導體領域有著卓越的表現(xiàn)，專注于材料制備中的熱科學應用和技術研究。兩位教授開展的晶體生長系統(tǒng)熱場設計和優(yōu)化的研究已在高端裝備制造領域得到廣泛應用和認可。
據(jù)了解，連科半導體作為連城數(shù)控的子公司，注冊資金達1億元，專注于Si及SiC領域裝備的研發(fā)和制造。連科半導體在今年6月設立后，連城數(shù)控根據(jù)相關業(yè)務的具體規(guī)劃及進展情況，將已有的半導體相關全部或部分的資產(chǎn)、業(yè)務、人員等逐步轉(zhuǎn)移至連科半導體。
今年6月底在上海舉辦的“中國國際半導體設備、材料、制造和服務展覽會（SEMICON China）”上，連科半導體攜帶SiC感應生長爐、合成爐，電阻爐等設備參展，獲得了多個意向訂單。（集邦化合物半導體Morty整理）
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