文章分類： 氮化鎵GaN

瞻芯電子：國產(chǎn)驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A和1407A量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯電子自主開發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動(dòng)了全國產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn)。 據(jù)了解，IVCR1801A和IVCR1407A均為單通道、高速、低側(cè)的柵極驅(qū)動(dòng)芯片（Gate-driver），已獲工規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（JEDEC)，且能兼容替代國際廠牌的成熟...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目二期建設(shè)。 項(xiàng)目與公司已建設(shè)的項(xiàng)目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

臺(tái)灣地區(qū)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來逆風(fēng)，各大廠信心不減

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
受益于新能源革命，電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)自動(dòng)化等下游應(yīng)用的多點(diǎn)爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導(dǎo)體進(jìn)入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。 近年來，臺(tái)灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 01、2022年總產(chǎn)值791億元，年減4.5% 日前，據(jù)...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN、GaAs技術(shù)，兆馳半導(dǎo)體與立琻半導(dǎo)體達(dá)成協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 16:54 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，兆馳半導(dǎo)體與蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司（Lekin Semi）（以下簡稱“立琻半導(dǎo)體”）在LED芯片領(lǐng)域達(dá)成專利許可協(xié)議。 此項(xiàng)專利許可協(xié)議范圍包括數(shù)百項(xiàng)全球LED芯片核心專利，覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺(tái)灣等國家和地區(qū)，專利保護(hù)范圍包括PSS襯底，LED外延結(jié)構(gòu)，L...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)120臺(tái)化合物半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備，中晟光電半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月18日，中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司位于臨港的研發(fā)和生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)順利封頂。 據(jù)了解，項(xiàng)目建筑面積21,180.73平方米，包含千級(jí)潔凈室1,700平方、萬級(jí)潔凈室4,000平方、十萬級(jí)潔凈室2,000平方，涵蓋了辦公、研發(fā)、生產(chǎn)、會(huì)議、培訓(xùn)等眾多區(qū)域。 項(xiàng)目建...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電擬上調(diào)6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線總投資額

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 16:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關(guān)于全資子公司功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會(huì)上審議通過了《關(guān)于對(duì)外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，總投資5.1億...  [詳內(nèi)文]

涉及化合物半導(dǎo)體，安徽省2023年首批重點(diǎn)項(xiàng)目公布

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 8:56 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月20日，安徽省人民政府公布安徽省2023年重點(diǎn)項(xiàng)目清單（第一批）。項(xiàng)目清單分為A類項(xiàng)目和B類項(xiàng)目，合計(jì)近一萬項(xiàng)項(xiàng)目。 A類中，續(xù)建項(xiàng)目包括“臻芯年產(chǎn)1000萬（套）LED封裝項(xiàng)目”、“青鳥消防應(yīng)急照明生產(chǎn)基地項(xiàng)目”、“年產(chǎn)兩億顆LED照明芯片封測項(xiàng)目”、“芯視佳硅基OLED...  [詳內(nèi)文]

江豐電子控股子公司江豐同芯舉行開業(yè)暨投產(chǎn)儀式

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 20 日 17:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2月18日，江豐電子控股子公司寧波江豐同芯半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“江豐同芯”）舉行開業(yè)暨投產(chǎn)儀式。 據(jù)官微介紹，江豐同芯專業(yè)從事功率半導(dǎo)體用覆銅陶瓷基板產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及相關(guān)產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目的合作，產(chǎn)品主要服務(wù)于功率半導(dǎo)體模塊化產(chǎn)業(yè)，廣泛應(yīng)用于5G通信、新能源、軌道交通、特...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體，增長勢頭過于強(qiáng)勁

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 17 日 17:27 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在最近的幾次采訪中，英飛凌首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 討論了功率半導(dǎo)體市場的狀況。Hanebeck 指出，雖然短期內(nèi)整體半導(dǎo)體芯片短缺可能會(huì)有所改善，但功率半導(dǎo)體是市場中一個(gè)相當(dāng)獨(dú)特的部分。汽車電氣化和清潔能源的加速需求仍將使功率半導(dǎo)體短缺。其次，他指出代工廠的投...  [詳內(nèi)文]

德州儀器擬擴(kuò)大日本工廠的氮化鎵產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 15 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，德州儀器（TI）日本負(fù)責(zé)人Samuel Vicari日前接受日經(jīng)新聞專訪，透露將擴(kuò)大在日氮化鎵晶圓產(chǎn)能。 Vicari表示，“雖然整體市場放緩是事實(shí)，但我們涵蓋的一些市場仍然表現(xiàn)良好，例如汽車。對(duì)工業(yè)機(jī)器人和自動(dòng)化以提高（供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)）效率的需求也很強(qiáng)勁。這些應(yīng)用需要成熟制程產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]