新能源汽車大勢(shì)之下,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時(shí),第四代半導(dǎo)體也在蓄勢(shì)待發(fā),其中,氧化鎵(Ga2O3)基于其性能與成本優(yōu)勢(shì),有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。
鴻海入局氧化鎵
近期媒體報(bào)道,鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作,雙方研究團(tuán)隊(duì)在第四代...  [詳內(nèi)文]
第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā) |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率 |