11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅逆變器等車載電源系統(tǒng)。
作為一家由中國一汽、東風公司、南方工業(yè)集團、長安汽車和南京江寧經開科技共同出資設立的創(chuàng)新型汽車高科技企業(yè)，研發(fā)綠色低碳的汽車技術是中汽創(chuàng)智的業(yè)務方向之一，首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET下線，意味著中汽創(chuàng)智有更強的SiC MOSFET產品實力與新能源汽車廠商合作。
目前，SiC MOSFET產品在新能源汽車領域主要應用場景包括功率逆變器、DC/DC轉換器、車載充電器等，具有較大的發(fā)展?jié)摿?，新能源汽車主流廠商正在將SiC MOSFET產品引入到旗下車型中，這給中汽創(chuàng)智SiC MOSFET相關產品提供了較多合作機會。
圖片來源：拍信網正版圖庫
本次SiC MOSFET下線儀式現場，中汽創(chuàng)智和積塔半導體進行了戰(zhàn)略合作簽約。據中汽創(chuàng)智介紹，該公司通過以SiC模塊為切入點，快速形成SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術的車載集成電源系統(tǒng)開發(fā)能力，逐步建立起從上游芯片設計、模塊封裝，到下游應用支持的“一站式” 能力。與積塔半導體合作，中汽創(chuàng)智能同時得到技術支持與產能保障。
資料顯示，積塔半導體在中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個廠區(qū)，已建和在建產能共計28萬片/月（折合8英寸計算），其中6英寸7萬片/月、8英寸11萬片/月、12英寸5萬片/月、SiC 3萬片/月。積塔半導體是國內較早具備SiC功率器件制造能力的企業(yè)，工藝技術平臺覆蓋JBS和MOSFET等，已建成自主知識產權的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺、650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。
強強合作是企業(yè)鞏固市場地位的有效手段，與中汽創(chuàng)智合作，有助于積塔半導體在車規(guī)級SiC MOSFET產品市場占據一席之地。今年1月，積塔半導體曾與吉利集團簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將圍繞車規(guī)級芯片研發(fā)、制造、市場應用等領域開展全面合作，共同致力于車規(guī)級芯片產業(yè)的協(xié)同發(fā)展。未來，積塔半導體大概率將與更多車企攜手。
而與積塔半導體戰(zhàn)略合作，中汽創(chuàng)智獲得了第三代半導體上游資源，有助于推出更多自研SiC MOSFET產品，拓展下游應用市場。（集邦化合物半導體Zac整理）
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